梁珊珊
,
郝红
,
刘瑞
,
杨盛逵
,
陈琛
,
林根尧
材料导报
综述了国内外近几年硼酸类传感器的最新研究进展,包括工作原理、结构特点、制备方法、检测特性等,阐述了其在生物医药、食品工业、环保等领域的应用,并展望了未来的研究方向.
关键词:
硼酸
,
生物传感器
,
多羟基化合物
朱航悦
,
赵亚萍
,
陈琛
,
刘彩虹
,
蔡再生
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.02.014
目的：改进制备聚吡咯/棉织物导电复合材料的原位界面聚合方法。方法将改进的一步三相聚合方式与传统二步二相聚合方式进行分析对比,探讨吡咯浓度、氧化剂用量、水相浴比和油相浴比等制备条件对复合材料导电性能的影响,对产物进行形貌表征,并初步探讨三相界面聚合经历的主要过程。结果确定了较优聚合工艺条件：吡咯浓度0.2 mol/L,氧化剂/单体用量比为1.5,水相浴比为10 mL/g,油相浴比为30 mL/g,吐温-80质量浓度为2 g/L,反应温度为0益,时间为2 h。该条件下,在棉织物表面获得了一层分布均匀且具有三维网状多孔结构形貌的导电聚吡咯膜。初步建立了反应模型：有机相中的表面活性剂胶束包裹吡咯单体,接近浸没于水相中的棉织物表面,在纤维吸附的Fe3+的引发作用下发生原位聚合。结论采用的水/纤维/油三相体系原位界面聚合方法具有耗时较短、操作简单、原料节省且适用于大面积制备等特点,可得到表面电阻在100~200Ω/sq的柔性导电复合材料。
关键词:
聚吡咯
,
棉织物
,
柔性导电材料
,
原位界面聚合
马建中
,
张文博
,
高党鸽
,
陈琛
,
王刚
高分子材料科学与工程
采用溶胶-凝胶法制备Si02溶胶，将其与聚丙烯酸酯乳液进行复合制备聚丙烯酸酯／纳米SiO2复合乳液，并将其用于织物的涂层整理。采用动态激光光散射（DLS）和透射电镜（TEM）对乳液进行了表征，考察了Si02溶胶对复合乳液性能以及应用后织物防水透湿性能的影响。结果表明，乳胶粒与SiO2溶胶粒径在100nm～120nm，溶胶在乳液中分布均匀；SiO2的引入及均匀分散使成膜的断裂强力提高2倍，断裂伸长率提高6．3％，吸水率基本不变；当上胶量为71g／m2左右时，SiO2溶胶的加入会使涂层的防水性能提高，且透湿量基本不变。
关键词:
防水透湿
,
纳米Si02
,
聚丙烯酸酯
,
织物涂层剂
高党鸽
,
陈琛
,
吕斌
,
马建中
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.06.007
以二甲基二烯丙基氯化铵(DMDAAC)、甲基丙烯酸(MAA)、烯丙基缩水甘油醚(AGE)、纳米ZnO为原料,通过原位法制备了聚二甲基二烯丙基氯化铵-甲基丙烯酸-烯丙基缩水甘油醚/纳米ZnO(PDMDAAC-AGE-MAA/纳米ZnO)复合材料,考察了纳米ZnO用量对复合材料性能的影响,通过FT-IR、XRD和TEM对其结构进行了表征,将其应用于棉织物整理中.结果表明:当纳米ZnO为0.8％时,PDMDAAC-AGE-MAA/纳米ZnO复合材料的稳定性最佳;复合材料中存在环氧基团以及纳米氧化锌的特征吸收峰,纳米ZnO在复合材料中具有良好的分散性;将其整理织物后,与原布相比,经10次标准洗涤织物对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌的抗菌率高达80％以上,对白色念珠菌的抗菌性可达75％以上,具有良好的耐洗牢度;经过整理后的织物断裂强力无影响.
关键词:
二甲基二烯丙基氯化铵
,
纳米ZnO
,
羧基
,
抗菌
,
耐洗牢度
刘佳音
,
唐文进
,
周升
,
杨名波
,
陈琛
绝缘材料
通过对聚酰亚胺薄膜绕包铜扁线的工艺研究，分析了聚酰亚胺薄膜绕包铜扁线的耐电晕性能。结果表明：影响聚酰亚胺薄膜绕包铜扁线耐电晕性能的主要因素为烧结温度、绕包张力和红外辐射炉温度。当烧结温度为230℃,绕包张力为8 N，红外辐射炉温度为450℃时，聚酰亚胺薄膜绕包铜扁线的耐电晕性能最佳。
关键词:
电磁线
,
烧结工艺
,
耐电晕性能
滕英跃
,
刘全生
,
智科端
,
余海燕
,
陈琛
,
赵菊芳
材料导报
利用低场核磁共振研究褐煤在不同温度下脱水的横向弛豫时间特征及赋存状态演变.结果表明:煤样中水分主要存在于微孔结构中,随着脱水温度的升高,留在样品中水的弛豫时间逐渐缩短,微孔水含量降低.此外,利用热重分析褐煤在连续升温条件下质量的变化,采用FWO法求解活化能.实验结果表明,随着温度的升高,活性能E先逐渐减小而后逐渐增大,当脱水率为60％时活化能E最小(51.79 kJ/mol).实验数据为褐煤干燥工艺和干燥转换点的确定提供了参考.
关键词:
核磁共振
,
褐煤
,
水分
,
横向弛豫时间
,
动力学
季振国
,
赵丽娜
,
何作鹏
,
陈琛
,
周强
无机材料学报
利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜. 主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响. 结果表明, 当In/Sn比较小
时, 薄膜为金红石结构的二氧化锡, 导电类型为n型; 当In/Sn比在0.06～0.25范围内且热处理温度T≥600℃时, 薄膜仍为金红石结构, 但导电类型转为p型的; 当In/Sn比超过0.3时,
薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成, 由于氧空位的存在, 薄膜又转变为n型. 因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜, In/Sn比不宜过低, 也不能过高. 热处理温度对薄膜的导电类
型也有影响, 对于In/Sn=0.2的薄膜, 温度低于550℃时薄膜为n型导电, 但当热处理温度高于550℃时, 由于In3+取代Sn4+, 因此薄膜为p型导电. 当热处理温度高于700℃
时, 薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3, 与此同时, 透射率在可见光范围内仍高达80%以上.
关键词:
铟锡氧化物
,
transparent conducting
,
spray pyrolysis
,
p-type doping
季振国
,
赵丽娜
,
何作鹏
,
陈琛
,
周强
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.01.035
利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜.主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响.结果表明,当In/Sn比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In/Sn比在0.06～0.25范围内且热处理温度T≥600℃时,薄膜仍为金红石结构,但导电类型转为p型的;当In/Sn比超过0.3时,薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成,由于氧空位的存在,薄膜又转变为n型.因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜,In/Sn比不宜过低,也不能过高.热处理温度对薄膜的导电类型也有影响,对于In/Sn=0.2的薄膜,温度低于550℃时薄膜为n型导电,但当热处理温度高于550℃时,由于In3+取代Sn4+,因此薄膜为p型导电.当热处理温度高于700℃时,薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3,与此同时,透射率在可见光范围内仍高达80%以上.
关键词:
铟锡氧化物
,
透明导电薄膜
,
p型导电
,
喷雾热解
