丘志海
,
林林
,
龚慧
,
陈海滨
,
吴彬
,
冯颖
,
郑志强
中国稀土学报
用高温固相法制备了 Ca2 MgSi2O7:Ce3+,Eu2,并研究其发光特性.Ce3+的发射带峰值位于410 nm,对应于Ce3+的5d→4f跃迁；Eu2+的发射带峰值位于530 nm,对应于Eu2+的5d→4f跃迁.双掺样品的发射光谱表明两种离子间存在高效的电偶极-电偶极能量传递.当Ce3+和Eu2浓度分别为2％和0.125％时,样品发射光谱(λex=360 nm)色坐标为(0.221,0.312),落在白光区.以上研究说明Ca2 MgSi2O7:Ce3+,Eu2+是一种适用于近紫外芯片的新型WLED荧光粉,其光色可调谐.
关键词:
WLED
,
荧光粉
,
硅酸盐
,
能量传递
,
稀土
陈海滨
,
周旗钢
,
万关良
,
肖清华
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.z1.013
测量300 mm双面磨削硅片损伤层厚度,不仅可以为优化双面磨削工艺提供科学依据,并最终可以减少双面磨削损伤层厚度,而且可以有助于减少抛光时间,改善抛光硅片的几何参数.本文应用恒定腐蚀法和双晶衍射法测量了300 mm硅片双面磨削工艺后的损伤层厚度,对恒定腐蚀法进行了较深入的研究,并结合恒定腐蚀法的结果对硅片进行双晶衍射.得出以下结论:杨氏腐蚀液因为对缺陷具有良好的择优性能,可以用以损伤层厚度检测.而硝酸腐蚀液因为对缺陷不具有良好的择优性能,因而不能用以损伤层厚度检测;恒定腐蚀法可以粗略测定磨削硅片损伤层厚度,而双晶衍射法可以精确测定磨削硅片损伤层厚度;根据恒定腐蚀法的测试结果来进行双晶衍射,可以减少测试样品的数量,节省试验经费;300 mm直拉P型＜100＞硅片经2000#砂轮双面磨削后的损伤层厚度为12.5μm.
关键词:
损伤
,
恒定腐蚀
,
双晶衍射
,
300 mm硅片
曲翔
,
陈海滨
,
方锋
,
汪丽都
,
周旗钢
,
闫志瑞
人工晶体学报
气相掺杂法因其简易灵活、生产周期短、成本较低的优点成为生产区熔硅单晶重要的辅助方法.本文根据区熔(FZ)硅单晶气相掺杂原理,结合单晶生长速度、单晶直径、气体流量、气体浓度、掺杂物的分凝、单晶对掺杂气体吸收率等一系列生长条件,进行理论计算并与实际生产相结合,进一步推算出掺杂量与电阻率关系的公式.通过该公式,可以更加准确控制气相掺杂硅单晶的电阻率,使理论计算与实际电阻率误差从20％降低到10％,从而降低生产成本.
关键词:
气相掺杂
,
区熔硅单晶
,
电阻率
陈海滨
,
周旗钢
,
万关良
,
肖清华
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.06.004
分析了硅片双面磨削的运动轨迹, 并给出了砂轮上P点相对于硅片的运动轨迹. 还对砂轮运动轨迹进行了模拟. 得出以下结论: 砂轮上P点在硅片上的运动轨迹仅与它们的相对转速比I有关, 而与两者的分别转动角速度值没有关系. 硅片磨削的磨纹密度沿着硅片径向逐渐减小, 硅片中心处磨纹最密集, 磨纹密度最大, 表面粗糙度最小, 越靠近硅片的中心硅片的磨纹密度越大, 表面粗糙度越小, 表面质量越好; 反之, 越靠近硅片的边缘磨纹密度越小, 表面粗糙度越大, 表面质量越差. 砂轮和硅片旋转方向相同时单颗磨粒的轨迹带有紫荆花形状, 说明其磨削是不均匀的, 磨削效果不好; 而砂轮和硅片旋转方向相反时单颗磨粒的轨迹则不具有这种形状, 磨削很均匀, 磨削效果好. 硅片磨纹密度是由砂轮和硅片的速比决定的, 速比(ωw)/(ωs)的不可约分数m/n中n越大, 硅片磨纹密度越密, 表面粗糙度越小, 磨削表面质量越好.
关键词:
磨削轨迹
,
模拟
,
表面粗糙度
