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氮化硅流延膜的制备

陈殿营 , 张宝林 , 庄汉锐 , 李文兰

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2003.06.018

流延成型是一种制备高质量陶瓷基片的成型方法.氮化硅是一种高热导率的材料,有望在电子基片领域获得应用.本文利用流延成型制备了具有较好柔韧性和一定强度的氮化硅流延素坯膜.研究了无水乙醇、无水乙醇/丁酮作为溶剂时对浆料粘度的影响.通过优化流延浆料添加剂的各种配比,得出了适合氮化硅粉体(SN-E10)流延的最佳配方.

关键词: 流延成型 , 氮化硅 , 基片

添加β-Si₃N₄棒晶对氮化硅陶瓷力学性能的影响

陈殿营 , 张宝林 , 庄汉锐 , 李文兰

无机材料学报

将由自蔓延燃烧合成法制备的β—Si₃N₄棒晶加入到α-Si₃N₄起始原料中,研究了热压烧结氮化硅陶瓷力学性能的变化.随棒晶添加量的增加,材料的韧性提高,抗弯曲强度下降.与不加棒晶相比,加入8wt％的β-Si₃N₄棒晶可使陶瓷的韧性从4.0MPa·m^1/2提高到6.7MPa·m^1/2.断口形貌和压痕裂纹的显微结构观察表明,韧性的提高源于长柱状晶粒的拔出和裂纹的偏转.

关键词: β-Si₃N₄棒晶 , silicon nitride , fracture toughness

自蔓延燃烧合成β-Si3N4棒晶

陈殿营 , 张宝林 , 庄汉锐 , 李文兰 , 徐素英

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.009

采用自蔓延高温合成(SHS),在高压氮气中成功地合成了β-Si3N4棒晶,研究了添加不同量Y2O3对自蔓延燃烧合成β-Si3N4棒晶长径比的影响.结果表明,Y2Os添加量有一个最佳范围,当Y2O3的添加量在2wt%～5wt%时,棒晶生长均匀,长径比约为8.通过铜坩埚吸热淬火的方法,观察到β-Si3N4棒晶不同生长阶段的显微形貌,从而推测其生长机理为VLS和VS两种机理协同作用的结果.本文对β-Si3N4棒晶生长的反应历程也进行了阐述.

关键词: 自蔓延高温合成 , β-SisN4 , 棒晶 , 生长机理

添加β-Si3N4棒晶对氮化硅陶瓷力学性能的影响

陈殿营 , 张宝林 , 庄汉锐 , 李文兰

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.05.031

将由自蔓延燃烧合成法制备的β-Si3N4棒晶加入到α-Si3N4起始原料中,研究了热压烧结氮化硅陶瓷力学性能的变化.随棒晶添加量的增加,材料的韧性提高,抗弯曲强度下降.与不加棒晶相比,加入8wt%的β-Si3N4棒晶可使陶瓷的韧性从4.0MPa@m1/2提高到6.7MPa@m1/2.断口形貌和压痕裂纹的显微结构观察表明,韧性的提高源于长柱状晶粒的拔出和裂纹的偏转.

关键词: β-Si3N4棒晶 , 氮化硅 , 断裂韧性

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