廖凌宏
,
周志文
,
李成
,
陈松岩
,
赖虹凯
,
余金中
,
王启明
材料科学与工程学报
由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si1-x Gex虚衬底上外延应变补偿的Si/S1-y Ge,(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上.在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层(虚衬底),表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%.在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性.
关键词:
低维无机非金属材料
,
量子阱
,
光致发光谱
,
弛豫缓冲层
谢生
,
陈松岩
,
何国荣
,
周海文
,
吴孙桃
功能材料
通过对InP/GaAs异质键合实验方法的研究,提出了包括表面活化处理、真空预键合和退火热处理的三步法,在350℃低温下实现了InP/GaAs异质材料的键合.界面电流-电压(I-V)特性的研究表明,350℃样品的界面过渡层极薄,电子主要以隧穿方式通过界面,而450℃的扩散使得过渡层增厚,界面电流-电压特性可视为双肖特基二极管的反向串联.同时,对键合样品也进行了拉力测试,实验结果表明450℃样品的键合强度优于350℃样品.最后,对InP/GaAs异质材料的键合机理进行了探讨.
关键词:
低温键合
,
磷化铟
,
砷化镓
,
I-V特性
,
键合强度
陈朝
,
傅仁武
,
陈松岩
,
刘宝林
,
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.042
用MOCVD方法生长了n+-InP/n-InP/SI-InP材料,以HfO2为介质膜,用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm、栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InPMISFET.直流特性测量表明,跨导gm=80-115ms/mm,开启电压VT-3.62V,沟道的有效电子迁移率ueff=674cm2/V·S,界面态密度NSS=9.56×1011cm-2.设计计算的特征频率fT=97.1GHz,最高特征频率fmax=64.7GHz,尚未发现器件性能的漂移现象.本器件可作为InP基的单片光电子集成器件(OEIC)的放大部分.
关键词:
磷化铟(InP)
,
绝缘栅场效应管(MISFET)
,
光电集成(OEIC)
谢生
,
陈松岩
,
毛陆虹
,
郭维廉
功能材料
用直接键合技术在480℃实现了InP/GaAs的异质键合,用X射线光电子谱研究了样品的界面化学态.研究分析表明,InP/GaAs样品在480℃的键合过程中发生相互扩散(除P外),键合界面处形成了由InP、GaAs、InAs和GaP构成的中间过渡层,过渡层厚度约为6nm.
关键词:
晶片键合
,
X射线光电子谱
,
磷化铟
,
砷化镓
谢生
,
陈松岩
,
陈朝
,
毛陆虹
功能材料
采用PECVD方法制备了SiNx薄膜,用椭偏测厚仪、红外光谱仪和俄歇能谱仪研究了SiNx薄膜的性质.测试结果表明,SiNx薄膜的折射率随SiH4流量增加不断增大,当SiH4/NH3为38/8时,沉积SiNx薄膜的折射率为1.93,对应的Si/N比约为0.75.FTIR测试结果表明,随着SiH4/NH3流量的增加,N-H含量降低,Si-H含量升高,当SiH4/NH3为38/8时,SiNx薄膜的H含量最少.通过优化沉积条件和层厚度,将SiNx薄膜应用于InP材料的开管扩Zn中,并成功制备了平面结构的InP/InGaAs PIN探测器.
关键词:
氮化硅
,
等离子增强化学汽相沉积
,
钝化
,
磷化铟
,
开管Zn扩散
黄燕华
,
韩响
,
陈慧鑫
,
陈松岩
,
杨勇
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140352
以商业化多晶硅粉为原料,采用金属银催化剂诱导化学腐蚀的方法制得三维多孔硅材料。通过优化腐蚀条件,得到孔径约为130 nm,比表面为4.85 m2/g的多孔硅材料。将多孔硅和PAN溶液混合球磨并经高温烧结后在多孔硅表面包覆上一层致密的无定形碳膜,从而制得多孔硅/碳复合材料作为锂离子电池的负极材料。3D多孔硅结构可以缓解电化学嵌/脱锂过程中材料的体积效应,无定形碳膜层可有效改善复合材料的导电性能。电化学性能测试表明,该多孔硅/碳复合负极材料电池在0.4 A/g的恒电流下,首次放电容量3345 mAh/g,首次循环库伦效率85.8%,循环55次后容量仍保持有1645 mAh/g。并且在4 A/g的倍率下,容量仍维持有1174 mAh/g。该方法原料成本低廉,可规模化生产。
关键词:
化学腐蚀
,
多孔硅/碳
,
锂离子电池
