胡锐军
,
陈迪
,
陈翔
,
陈景东
,
吴澄
,
杜航向
,
杨治力
,
王志刚
,
夏骏
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.018
癌症是影响人类健康的重大疾病之一,如何快速、方便地分离癌细胞已经成为制约临床医学和科学研究的重要问题.本文将磁珠技术与MEMS技术相结合,提出了一种等边三角排列的Ni微磁柱结构,在磁场作用下使用CD326免疫磁珠捕获结肠癌细胞.本文对MEMS细胞捕获芯片进行了设计、加工和封装,采用该芯片对与磁珠结合的结肠癌细胞进行了捕获,0.1ml/h流速下捕获效率达92%,证明该芯片具有对结肠癌细胞的捕获能力.
关键词:
结肠癌细胞捕获
,
免疫磁珠
王六定
,
陈景东
人工晶体学报
场增强因子(β)是评价碳纳米管场发射性能的重要参数之一.本文介绍了几种计算β的模型,分析了各种因素对β的影响.通过对所得β表达式进行比较,总结了不同模型中影响场增强因子的主要因素.
关键词:
碳纳米管
,
场增强因子
,
计算模型
王六定
,
朱明
,
陈景东
,
施易军
,
陈国栋
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2007.05.010
对系列低碳、超高强度贝氏体钢(LCUHSBS),通过有效地控制相变温度、冷却速率与回火参数,贝氏体铁素体(BF)含碳量增加、组织细化、碳化物消除以及存在高稳定性、高体积分数的膜状残余奥氏体(AR).利用AFM、SEM等分析并测试了贝氏体钢的显微组织与晶粒尺寸,结果表明,板条束内含有若干大致平行的BF板条,而每一板条由许多切变单元组成;切变单元进一步又分成大量超细亚结构,其直径约为18nm.如此细化的显微组织确保了贝氏体钢在超高强度条件下,冲击吸收能成倍提高.
关键词:
贝氏体板条束
,
铁素体板条
,
切变单元
,
超细亚结构
,
残余奥氏体膜
魏世隽
,
蔡贤华
,
陈翔
,
陈迪
,
陈景东
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.04.007
本文主要研究基于磁性的CTC捕获芯片中细胞受力情况,提出该类芯片中细胞捕获可分为偏移阶段和吸附阶段,并使用COMOSL软件分析了各个阶段的受力特点.通过模拟计算及实验结果可以看出,传统的垂直捕获模式由于其受流场作用力影响,不适合在高流速下进行CTC细胞捕获.基于此我们提出一种新型的平行捕获模式芯片的设计,该设计可以显著减少流场对CTC细胞捕获的影响.优化后的芯片流速可以达到6ml/h.
关键词:
CTC细胞
,
磁柱
,
微流控
,
平行捕获模式
高宽
,
王六定
,
朱明
,
陈景东
,
施易军
,
陈国栋
金属学报
对系列低碳、超高强度贝氏体钢(LUHSBS)，通过审慎地使用硅、锰、镍等合金元素并有效地控制相变温度、冷却与回火参数，强韧性结合良好，又冲击能(AKV ≥185 J)与同强度(＞1500 MPa)的高级马氏体钢23MnNiCrMo相比提高三倍以上。强度与韧性增强的根本原因在于组织细化、贝氏体铁素体(BF)中含碳量增加、碳化物消除以及存在较高体积分数的膜状残余奥氏体(AR)。原子力显微镜和扫描隧道显微镜分析证实：钢中不存在损伤韧性的块状AR区。不仅亚单元被超细化，而且超细亚晶粒的平均尺寸小于20 nm以及部分切变单元的平均厚度仅约1.6 nm。所有这些都是影响钢的强度、AR稳定性和AKV的主要原因。此外，对强度与韧性改善的物理机制还进行了深入的分析。
关键词:
贝氏体束
,
bainitic laths
,
sub-units
,
refined microstructure
高宽
,
王六定
,
朱明
,
陈景东
,
施易军
,
康沫狂
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.03.018
对系列Si,Mn,Ni等合金元素合金化的低碳超高强度贝氏体钢(LUHSBS),通过控制相变温度、冷却与回火参数,可明显提高其韧性.与同等强度(＞1500 MPa)的高级马氏体钢23MnNiCrMo相比,研制的LUHSBS冲击吸收能(AKV≥185J)提高3倍以上.强度与韧性优化结合的根本原因在于组织细化、贝氏体铁素体(BF)中含碳量增加、碳化物消除以及存在较高体积分数的稳定膜状残余奥氏体(AR).原子力显微镜和扫描隧道显微镜分析证实:钢中不存在对韧性有损伤作用的块状AR;不仅切变单元超细化,而且超细晶粒的平均尺寸小于20 nm,部分切变单元的平均厚度仅约1.6 nm.这些精细组织是影响钢的强度、AR稳定性和AKV增加的主要原因.分析了强度与韧性改善的物理机制.
关键词:
贝氏体钢
,
贝氏体板条
,
超细组织
,
残余奥氏体
,
力学性能
施易军
,
王六定
,
陈景东
人工晶体学报
利用镜像电荷模型计算了处于外加电场中开口碳纳米管顶端的电势和场强,得到电子发射场增强因子为γ=2(2h/ρ+1)/[ln16(1+16R2/ρ2)]-1.结果表明:外加电场与纳米管的几何参数会影响其顶端的局域电场,从而影响电子场发射;γ与长厚比h/ρ和径厚比R/ρ有关.特别,当管长h一定时,管壁厚度ρ比管的有效半径R对γ的影响更加显著.
关键词:
开口碳纳米管
,
电子场发射
,
场增强因子
