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一种新颖的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器

戴永胜 , 陈堂胜 , 杨立杰 , 李辉 , 俞土法 , 陈新宇 , 郝西平 , 陈效建 , 林金庭

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.002

介绍了一种新颖的在5～20GHz频率范围的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器的设计、制造和性能.选择了工艺变化对电路性能最小的电路拓扑.在5～20GHz频率范围内,以展示出低的峰值相移误差(≤2°);低的输入/输出驻波(≤1.5)和低插入损耗及起伏(≤(2.6±0.4)dB).芯片尺寸为:4.2mm×0.46mm×0.1mm.

关键词: 微波毫米波单片集成电路 , 开关金属半导体场效应晶体管 , 兰格耦合器 , 多倍频程 , 反射型移相器

可兼容多极性控制信号的90°数字/模拟单片集成电路移相器

戴永胜 , 陈堂胜 , 扬立杰 , 俞土法 , 李辉 , 陈新宇 , 郝西平 , 陈效建 , 林金庭

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.003

介绍了一种没有驱动器可兼容多极性控制信号的90°MMIC多倍频程数字/模拟兼容移相器的设计、制造和性能.获得了高性能(在5～20GHz频率范围内,低的峰值相移误差≤(90±5)°;低的输入/输出驻波≤1.5和低插入损耗及起伏≤(3.0±0.5)dB)和小芯片尺寸(4.2mm×0.6mm×0.1mm).

关键词: 微波毫米波单片集成电路数字/模拟移相器 , 多倍频程 , 可兼容多极性控制信号

K波段单片功率放大器

陈新宇 , 蒋幼泉 , 黄念宁 , 陈效建

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.006

报道了K波段的PHEMTMMIC的设计与研制.PHEMT器件采用0.5μm栅长的3inchGaAs标准工艺制作.三级的MMIC放大器在18GHz处,线性增益17dB,输出功率P-1=19dBm.

关键词: PHEMT , MMIC , K波段

砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展

陈效建 , 毛昆纯 , 林金庭 , 杨乃彬

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.001

着重讨论南京电子器件研究所(NEDI)在GaAsMMIC研制方面的近期进展.在详细介绍MMIC有源器件(MESFET,PHEMT及HBT)的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上,以NEDI近年开发的各种MMIC为实例,包括发射、接收与控制三类电路,给出有关的实验结果.此外,简要介绍了NEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果.

关键词: 砷化镓 , 微波单片集成电路 , CAD模型 , CAD设计优化

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