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SiC抗氧化机制电弧加热试验

欧东斌 , 陈连忠 , 张敏莉 , 陈思员

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2010.03.020

介绍了在电弧加热器上进行的SiC的抗氧化机制研究试验,根据SiC的主动、被动氧化机制,调试出相应试验条件并进行了模型试验.结果表明,SiC在一定的氧分压环境中,表面温度低于转捩温度时,会在表面形成SiO2薄膜,阻止氧向防热层内部扩散,降低了碳同氧的反应程度,阻止了基体碳的烧蚀;当表面温度高于转捩温度时材料发生主动氧化,材料表面发生烧蚀.

关键词: 抗氧化 , SiC , 电弧加热器

高温热管与高导热石墨烧蚀传热性能

欧东斌 , 陈连忠 , 陈海群 , 俞继军 , 陈思员

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2014.02.011

利用石英灯辐射加热器和电孤风洞耦合加热模拟高超声速飞行器驻点高温区的加热环境,对一种内部为高温热管和一种内部为高导热石墨的简单球柱形套装样件进行了加热试验.利用非接触红外测温装置对样件表面的温度进行了测量,通过与内部为C/C材料制成的对比样件的试验结果分析,发现高温热管和高导热石墨均能够有效地将样件驻点高温区热量传导到柱身低温区,其中高温热管样件驻点温度降低9.5%,柱身温度升高14.6%;高导热石墨驻点温度降低14.4%,柱身温度升高11.4%,显示两种材料均具有良好的热疏导效果.

关键词: 高温热管 , 高导热石墨 , 疏导式热防护 , 电弧风洞

碳化硅材料被动氧化机理及转捩温度分析

陈思员 , 姜贵庆 , 俞继军 , 欧东斌

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2009.03.005

对SiC材料的抗氧化性能进行了试验,研究了该材料的氧化机制以及由被动氧化至主动氧化的转捩温度.结果表明,SiC材料在一定的氧分压环境中,表面温度低于转捩温度时,会在表面形成SiO2薄膜,薄膜厚度和时间的平方根成正比.表面温度高于转捩温度时材料发生主动氧化,材料表面发生烧蚀.

关键词: 抗氧化 , 碳化硅 , 转捩温度

氮化硅的氧化机制研究

陈思员 , 姜贵庆 , 俞继军 , 欧东斌

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2010.01.007

研究了氮化硅的氧化机制以及被动氧化至主动氧化的转捩温度,并结合试验结果做了分析.结果表明氮化硅在高温下极易炸裂,在被动氧化机制下生成氮气和SiO_2薄膜,转捩温度和碳化硅材料基本一致.

关键词: 抗氧化 , 氮化硅 , 转捩温度

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