汤春苗
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陈志蓥
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朱博
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张浩然
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张亚欠
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曹一江
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于广辉
材料科学与工程学报
在CVD石墨烯的转移过程中无法避免会出现胶残留,导致了材料不必要的p型掺杂.研究表明,通常来自这种残余胶的p型掺杂影响了石墨烯的电学特性.本文发现NaOH溶液能够有效地去除这种PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯(C5H8O2)x)中的含氧官能团,减少胶残留,并首次将其运用在CVD生长的石墨烯单层薄膜上.通过不同浓度NaOH溶液的选择,我们有效地解决了NaOH与SiO2/Si衬底反应的问题.处理结果显示,通过NaOH溶液浸泡石墨烯的载流子浓度变为原来的三分之一甚至更少,而且处理效果最明显的石墨烯样品的迁移率从880cm2/Vs升高到2260cm2/Vs.同时我们比较了水和NaOH处理效果的稳定性,结果显示用水处理的样品迁移率很快回到了处理前的数据,而用NaOH溶液处理的石墨烯薄膜迁移率最终稳定在原有迁移率的1.5倍.
关键词:
石墨烯
,
迁移率
,
PMMA
,
NaOH
吴渊文
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张燕辉
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陈志蓥
,
王彬
,
于广辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.04.008
采用化学气相沉积技术(CVD)在铜箔衬底上实现了石墨烯单晶畴的可控生长,并用两步生长法制备了不同单晶畴尺寸的多晶石墨烯连续膜.利用光学显微镜和拉曼光谱仪对石墨烯的形貌和结构进行了表征.通过对转移到Si02衬底上石墨烯连续膜的霍尔测试发现,石墨烯晶畴尺寸变化对其连续膜的电学性能影响显著.石墨烯连续膜的晶畴尺寸越大,其方块电阻越小,载流子迁移率越高.
关键词:
石墨烯
,
单晶
,
化学气相沉积
,
拉曼
,
电学性质
