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氧化对 GaN 基LED透明电极接触特性的影响

秦志新 , 陈志忠 , 于彤军 , 张昊翔 , 胡晓东 , 杨志坚 , 李忠辉 , 张国义

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.01.001

研究了热退火对InGaN/GaN 多量子阱LED的Ni/Au-p-GaN欧姆接触的影响.发现在空气和 N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象. Ni/Au-p-GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的 N2 中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复.同时对Ni/Au-p-GaN 接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论.

关键词: 氮化镓基LED , 欧姆接触 , 氧化

大功率白光LED的制备和表征

陈志忠 , 秦志新 , 胡晓东 , 于彤军 , 杨志坚 , 章蓓 , 姚光庆 , 邱秀敏 , 张国义

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.002

用1 mm×1 mm的大尺寸GaN基蓝光发光二极管(LED)芯片和YAG∶Ce黄光荧光粉在食人鱼支架上封装大功率白光LED.其200 mA下的发光功率为13.8 mW,约为相同LED外延片制备的普通尺寸LED的10倍.同时改变注入电流,发现功率曲线直到200 mA仍没有出现饱和或下降的趋势,白光的色温从5 300 K下降至4 800 K.同时研究了不同荧光粉混合比例对白光色度的影响.

关键词: 白光LED , 大功率 , 荧光粉 , 色温

量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响

陆敏 , 杨志坚 , 潘尧波 , 陆羽 , 陈志忠 , 张国义

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.009

采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片.对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发光特性优良的高质量多量子阱紫光LED外延片.

关键词: 紫光二极管 , MOCVD , GaN , 量子阱结构

转炉炉衬粉化原因及对策

李勇 , 陈树林 , 安志平 , 陈志忠

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2008.05.019

为了减轻转炉炉衬粉化现象,避免转炉漏炉事故的发生,提高转炉炉龄,对转炉镁碳砖内衬外侧粉化的主要原因进行了分析.结果表明:转炉镁碳砖内衬外侧粉化的主要原因是镁碳砖在低于1 000℃条件下接触空气,造成碳骨架氧化,进而接触水分受潮引起的.据此指出,选择金属铝粉、硅粉作为镁碳砖的抗氧化剂,同时优化砌筑方式,采取干法修砌,改进转炉炉口和炉底结构,优化各部位连接方式,减少内衬吸收空气和水分是避免镁碳砖粉化的行之有效的技术措施.

关键词: 转炉 , 炉龄 , 镁碳砖 , 粉化

GaN}基紫光 LED的可靠性研究

商树萍 , 于彤军 , 陈志忠 , 张国义

材料研究学报

测量了GaN基紫光LED的光功率($P$)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化, 研究了LED的可靠性. 结果表明, 紫光LED的功率在前48 h内迅速衰减, 而在48 h后衰减速率减慢; 与光功率的衰减规律相对应, 其$I$--$V$曲线的变化显示反向漏电流和正向小电压下的 电流都有明显的增加. 对载流子的输运机制的分析表明, 在 LED的工作过程中, 缺陷提供的辅助电流通道使载流子的辐射复合几率降低, LED光功率下降.

关键词: 无机非金属材料 , null , null , null

GaN基紫光LED的可靠性研究

商树萍 , 于彤军 , 陈志忠 , 张国义

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.02.008

测量了GaN基紫光LED的光功率(P)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化,研究了LED的可靠性.结果表明,紫光LED的功率在前48 h内迅速衰减,而在48 h后衰减速率减慢;与光功率的衰减规律相对应,其Ⅰ-Ⅴ曲线的变化显示反向漏电流和正向小电压下的电流都有明显的增加.对载流子的输运机制的分析表明,在LED的工作过程中,缺陷提供的辅助电流通道使载流子的辐射复合几率降低,LED光功率下降.

关键词: 无机非金属材料 , GaN , 紫光LED , 可靠性

圆锥反光面与抛物面反光面组成的边发射型LED及其在LCD背光源中的应用

易业文 , 陈志忠 , 于彤军 , 秦志新 , 何仲恺 , 张国义

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.04.013

设计了一种边发射型的白光LED封装结构,通过全反射和反光镜的反射使LED发出的光由两侧出射,并且可以通过调节锥形反光镜的锥顶角来控制光强角分布中峰值的位置.利用光路追迹软件对所设计的结构进行模拟,并将所设计的边发射型LED用于直下式背光源中.通过对模拟结果的分析,当背光源灯箱大小为228 mm×150 mm,灯箱厚度在20~30 mm时,均匀度可以达到85%以上.利用具有表面布点的导光板结构,使侧向出射的光线经过导光板底面的锥形网点时,经历一次折射和一次全反射.这样将侧向出射的光线导向正向出射,提高了背光源正向的亮度.

关键词: 白光LED , 边发射 , 直下式 , 均匀性 , 导光板

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