陈婷
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郭平生
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王莉莉
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冯涛
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陈弈卫
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张哲娟
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林丽锋
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阙文修
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孙卓
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.010
采用磁控共溅射法在Si片表面镀NiTi膜作为碳纳米管生长的催化剂,制备出表面形貌特殊的碳纳米管薄膜,如"丘状"和"星状"的表面微结构.通过扫描电子显微镜对碳纳米管薄膜的形貌进行表征,采用二极管形式测试了碳纳米管薄膜的场发射性能.实验结果表明,这两种碳纳米管薄膜都具有优异的场发射性能,10μA/cm时的开启电场分别仅为1.02 V/btm和1.15 V/μm,在外加电场为2.4 V/μm时的电流密度分别达到4.32 mA/cm2和6.88 mA/cm2.通过场发射FN的曲线计算得到的场发射增强因子分别为10 113和6 840.这两种碳纳米管薄膜优异的场发射性能与其表面的微结构有关.表面的粗糙结构增强了部分碳纳米管的局域电场,易于发射电子.
关键词:
场发射显示
,
碳纳米管
,
场发射
,
表面形貌
高阳
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张燕萍
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王莉莉
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张哲娟
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潘立坤
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陈弈卫
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孙卓
,
杨介信
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.06.009
将石墨衬底浸泡于0.5 mol/L Ni(NO3)2溶液中一段时间,之后利用低压化学气相沉积法在不同温度的条件下生长碳纳米管薄膜.研究了碳纳米管的生长温度对其场发射性能的影响.通过扫描电子显微镜和拉曼光谱对生长的碳纳米管薄膜的表征发现,随着碳纳米管的生长温度的增加,碳纳米管的直径与相应拉曼光谱中的G峰和D峰(ID/IG)的峰强比减小.同样,碳纳米管的G峰的半峰宽随着碳纳米管的生长温度的增加而减小,这表明碳纳米管的石墨化程度的增强.实验中发现,碳纳米管的场发射性能依赖于碳纳米管的生长温度.
关键词:
碳纳米管
,
场发射性能
,
石墨衬底
,
生长温度
,
Ni(NO3)2溶液
