王璟
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丁雨田
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张杨
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陈小焱
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张增明
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尚兴记
人工晶体学报
采用直流反应磁控溅射法制备品种层薄膜,研究O2/Ar气体分压比和退火温度对品种层结构和微观形貌的影响.通过化学水浴沉积,在预制有晶种层的薄膜上制备ZnO纳米阵列结构,研究不同前驱体浓度和预制晶种层对纳米阵列生长的影响.结果表明,当O2/Ar中O2分压减少,薄膜均匀性较差,当Ar分压增加薄膜由于扩散而趋于平整.退火温度增加,晶粒尺寸增大,内应力降低.磁控溅射法预制的晶种层上生长的纳米棒垂直于衬底生长,(002)晶面的衍射峰强最高,说明纳米棒沿c轴择优取向.生长液的浓度对纳米棒的形貌影响显著,随着生长液浓度的升高,ZnO纳米阵列直径增大,顶端趋于平整的六棱柱结构.
关键词:
直流磁控溅射
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晶种层薄膜
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纳米阵列
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ZnO
陈小焱
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王璟
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丁雨田
功能材料
运用直流磁控溅射法,采用ZAO陶瓷靶材(Al2O3相对含量2％(质量分数)),结合正交实验表通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参数,在普通玻璃衬底上制备得到ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计、四探针测试仪对样品的晶体结构、表面形貌、光电性能进行表征分析.通过正交分析法得出直流磁控溅射法制备ZAO薄膜的最佳组合工艺为基片温度200℃,溅射功率40W,氧流量百分比20％,退火温度400℃,获得薄膜样品最低方块电阻11Ω/(口),薄膜具有最好的发光性能,适合作为薄膜太阳电池的透明导电电极.
关键词:
ZAO薄膜
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直流磁控溅射
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正交实验
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光电性能
