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LEC <111> 磷化镓晶片缺陷的观察

陈坚邦 , 郑安生

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.05.005

使用STEM、SEM观察了磷化镓晶片在切割、研磨等工艺过程中引入的损伤. 切片损伤层深度约30.3 μm, 磨片损伤层深度小于20 μm. 还观察到一些磷化镓单晶锭局部表面布满麻坑, 认为这是单晶生长时, 磷挥发造成的. 同时离晶体表面100～150 μm范围内有镓凝聚物, 是磷挥发后造成镓过剩并聚集在一起形成的.

关键词: 扫描透射电镜(STEM) , 扫描电镜(SEM) , 磷化镓 , 缺陷

磷化镓材料市场前景

陈坚邦 , 钱嘉裕

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.05.014

综述世界GaP材料及LED的产销现状、市场前景.预测 2000年普通可见光LED增长率为10%,高亮度LED为30%,GaP 衬底材料增长率不低于10%.GaP单晶以LEC法Φ50～62mm为主,并朝着减少材料位错密度和降低成本方向努力.

关键词: 磷化镓 , 材料 , 器件 , 市场

砷化镓材料发展和市场前景

陈坚邦

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.03.011

综述世界GaAs材料器件的产销情况、市场前景及GaAs材料的发展趋势. 预测2000年GaAs IC用于通讯将占GaAs IC市场的71%, 并以年均增长率15%的速度发展. 发光器件1999年增长12%, 其中激光器件增幅最大, 达16%. GaAs材料电子器件和光电器件的比例约为2∶3. 对大直径 (Φ76 mm以上)、低位错、低热应力、高质量的GaAs单晶有较大的需求量. VB、 VGF和VCZ是满足这些要求的最佳GaAs单晶生长方法.

关键词: 砷化镓材料 , 器件 , 市场

不同加工工艺的锑化镓晶片损伤研究

黎建明 , 屠海令 , 郑安生 , 陈坚邦

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.02.018

用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测. 结果表明: 切割加工是锑化镓单晶晶片表面损伤层引入的主要工序;锑化镓单晶切割片表面极不平整,有金刚砂所引起的较粗桔皮皱纹;其表面损伤层深度≤30 μm;双面研磨的锑化镓晶片表面仍有较粗桔皮皱纹,但比切割片的要细,而且桔皮皱纹的深浅随磨砂(Al2O3)粒径的减小而变细变浅;晶片的表面损伤层深度(≤5 μm)也随着磨砂粒径的减小而减小. 一般情况下,其损伤层的深度约为磨砂粒径的1/2. 机械化学抛光加工的锑化镓晶片表面的SEM像观察不到桔皮皱纹;其损伤层深度约55 nm.

关键词: 锑化镓 , 切片 , 磨片 , 抛光 , 损伤层

GaAs抛光表面损伤的RBS研究

董国全 , 万群 , 陈坚邦

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.018

本文以卢瑟福离子背散射技术 (RBS) 检测了半绝缘GaAs (100) 化学机械抛光表面的微损伤状况,并以α台阶仪测量了抛光表面的粗糙度.研究了以胶体SiO2和NaOCl溶液的混合液对GaAs进行化学机械抛光方法中主要工艺条件对表面质量的影响.把RBS法同X射线双晶衍射法对表面损伤的测量结果进行了比较,二者对应得很好.通过逐层腐蚀与RBS相结合测定了抛光过程造成的损伤层的厚度,发现如果抛光条件不适宜,获得的晶片表面尽管目视光洁度很好,也还有一定厚度的损伤层. RBS法测得好的非掺半绝缘GaAs (100) (由LEC法生长) 抛光表面散射粒子最低产额低达3.1%,这样的晶片用腐蚀法未发现有损伤层.

关键词: 抛光 , 砷化镓晶片表面 , 表面损伤 , 卢瑟福背散射

TEM观察砷化镓晶片损伤层

陈坚邦 , 钱嘉裕 , 杨钧

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.05.016

用透射电镜、扫描电镜对GaAs材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测. 结果切片损伤层深度≤50 μm、双面研磨损伤层深度≤15 μm、机械化学抛光损伤层深度 (腐蚀前) <1.2 μm. 分析了损伤结构及其引入的因素.

关键词: 砷化镓晶片 , 损伤层 , 透射电镜(TEM) , 扫描电镜(SEM)

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