辛国锋
,
花吉珍
,
陈国鹰
,
康志龙
,
安振峰
,
冯荣珠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.027
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A(外微分量子效率为75%),最高转换效率超过45%,阈值电流密度为117A/cm2,该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源.
关键词:
高功率
,
金属有机化合物气相淀积
,
半导体激光器阵列
,
单量子阱
叶文江
,
王欣
,
李志广
,
张志东
,
陈国鹰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112601.0013
利用光导波方法,对不同电压下由棱镜、折射率匹配液及扭曲向列相液晶盒构成的全漏导模进行了实验研究,得到了不同外角所对应的全漏导模的反射光强度实验数据,并由斯涅尔折射定律转化为反射率随内角变化的数据,由此得到实验曲线.通过与多层光学理论给出的理论曲线进行比较,发现两者之间有一个很好的吻合,确定了扭曲向列相液晶盒在不同电压下的指向矢剖面.
关键词:
光导波方法
,
扭曲向列相
,
指向矢剖面
,
全漏导模
,
多层光学理论
