严辉
,
谭利文
,
宋雪梅
,
王波
,
陈光华
,
姚振宇
,
刘立明
,
程业浩
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.019
采用分步偏压射频溅射法,通过调整衬底负偏压,在不加热的条件下成功的制备出具有一定结晶取向的sic薄膜,傅立叶红外谱的分析表明,随着衬底偏压的增大,吸收峰位于800cm-1附近Si-C键的数量增大.表明高能氩离子的轰击有利于立方相SiC(β-SiC)的形成.从傅立叶红外光谱SiC特征吸收峰的FWHM表明,采用分步偏压法制备的SiC薄膜,比采用一步偏压法制备的薄膜的质量好.从SEM测试结果表明,SiC薄膜均匀致密,表面比较光滑.同时,在不锈钢衬底上沉积了SiC薄膜,对其防氚性能的测试结果表明氚的渗透率显著下降.
关键词:
分步偏压
,
SiC
,
溅射氚渗透率
李瀛
,
刘毅
,
阴生毅
,
胡跃辉
,
宋雪梅
,
邓金祥
,
朱秀红
,
陈光华
功能材料
应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量a-Si:H薄膜的最佳工艺条件.
关键词:
氢化非晶硅
,
MWECR
,
CVD
,
氢含量
邓金祥
,
陈浩
,
陈光华
,
刘钧锴
,
宋雪梅
,
朱秀红
,
王波
,
严辉
功能材料
研究立方氮化硼薄膜表面的性质对于研究立方氮化硼薄膜的成核机理和应用,具有重要的价值.本文用XPS对立方氮化硼薄膜表面进行研究,并对有关问题进行了讨论.XPS分析表明,立方氮化硼薄膜表面除了B、N外,还含有C和O.从XPS谱图计算得到含有立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.90,较接近于氮化硼的理想化学配比1:1;不含立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.86,离氮化硼的理想化学配比1:1较远.计算表明立方氮化硼薄膜的顶层六角相的厚度约为0.8nm.
关键词:
立方氮化硼薄膜
,
表面
,
X射线光电子能谱
宋雪梅
,
宋道颖
,
陈蔚忠
,
芦奇力
,
冯贞健
,
鲍旭红
,
邓金祥
,
陈光华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.022
应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速度下沉积了α-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究了α-Si:H薄膜的结构特性随H2/SiH4、沉积温度和沉积速率变化关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量α-Si:H薄膜的最佳工艺条件.
关键词:
MWECR CVD
,
α-Si:H薄膜
,
IR分析
,
高斯函数拟合
荣延栋
,
阴生毅
,
胡跃辉
,
吴越颖
,
朱秀红
,
周怀恩
,
张文理
,
邓金祥
,
陈光华
功能材料
采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.
关键词:
非晶硅
,
红外
,
光致衰退
吴越颖
,
胡跃辉
,
阴生毅
,
荣延栋
,
王青
,
高卓
,
李瀛
,
宋雪梅
,
陈光华
功能材料
我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6～1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.
关键词:
a-Si:H薄膜
,
热丝
,
光敏性
,
沉积速率
周怀恩
,
朱秀红
,
胡跃辉
,
马占杰
,
张文理
,
李瀛
,
陈光华
功能材料
通过红外透射光谱研究了在光诱导退火中退火条件对氢化非晶硅薄膜的结构和光电特性的影响,实验所用样品采用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备.我们用桥键氢扩散模型来解释退火中的不同现象.样品的红外光谱在630和2000cm-1处的吸收系数有所增加,说明了原先的成键氢发生了移动和溢出,我们认为通过光诱导产生载流子的非辐射复合以及桥键氢和深俘获氢原子的交换,产生了大量的桥键氢原子,它们相互结合形成分子氢,氢溢出要优于氢团聚.
关键词:
氢化非晶硅薄膜
,
氢间隙扩散
,
微波电子回旋共振
,
傅立叶变换红外光谱
王青
,
阴生毅
,
胡跃辉
,
朱秀红
,
荣延栋
,
周怀恩
,
陈光华
功能材料
采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.
关键词:
氢化非晶硅
,
氢含量
,
光敏性
,
光致衰退
张兴旺
,
陈光华
材料研究学报
在双靶射频溅射系统中,以氢气为工作气体,交替溅射高纯Ge和SiO2,制备出了非晶态Ge/SiO2超晶格.小角度X射线衍射分析结果表明样品具有良好的周期性和界面平整性.其光学带降Eopt由红外透射、反射谱确定.当锗势阱层厚度从0.38nm减小到0.12nm时,超晶格光学带欧发生约0.3eV的游移.
关键词:
超晶格
,
α-Ge/SiO_2
,
RF sputtering
邓金祥
,
谭利文
,
王波
,
严辉
,
陈光华
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.026
本文报道了工作气压对射频溅射法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜影响的实验结果.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,溅射靶为六角氮化硼(h-BN),工作气体为Ar气和N2气混合而成,薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱标识.结果表明,与射频功率、衬底温度和衬底负偏压一样,工作气压也是影响c-BN薄膜生长的重要参数.要得到一定立方相含量的氮化硼薄膜,必须要有合适的工作气压,否则,薄膜中不能形成立方相.在工作气压为5×10-3乇时,得到了立方相含量在90%以上的立方氮化硼薄膜.
关键词:
立方氮化硼
,
射频溅射
,
工作气压
