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扫描SQUID显微镜的研制及其在磁成像和无损检测中的应用

张峰会 , 丁红胜 , 何豫生 , 陈赓华 , 韩士吉 , 董世迎 , 颜晓明 , 杨乾声 , 陈兆甲 , 金铎

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.01.008

研制了两种用于检测室温样品的超导量子干涉器(SQUID)扫描磁场显微镜(以下简称扫描SQUID显微镜),一种使用常规低Tc(Nb)SQUID器件,另一种使用高温(YBCO)SQUID器件.SQUID安装在内杜瓦底部的冷指底端,外杜瓦底部有60~75微米厚的白宝石窗口,被测样品处于室温状态位于窗口下,SQUID与被测样品之间的间距通过波纹管的伸缩进行调节.常规低Tc(Nb)器件系统的空间分辨率优于140μm,磁场灵敏度优于3pT/Hz1/2,高温(YBCO)器件系统的空间分辨率~500μm,磁场灵敏度~46pT/Hz1/2.两者均能长时间稳定地工作在无屏蔽环境中.利用两台扫描SQUID显微镜,进行了多种有应用价值的磁成像实验和无损检测研究.

关键词: SQUID , 显微镜 , 磁成像 , 无损检测

Bi2212晶须中磁通线运动临界电流的反常现象

郑萍 , 周玉琴 , 景秀年 , 李山林 , 王文虎 , 陈兆甲 , 金华 , 金铎 ,

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.06.009

我们对同一Bi2212晶须样品加不同方向的磁场,比较了H∥b和H∥c两种情况下的I-V曲线.我们发现,当H∥c时,驱动磁通线运动的临界电流Ic与温度的关系遵循一般的单调地随温度上升而下降的关系.但是,当H∥b时, Ic在T*=25.5K附近出现了一个峰值: 当T>T*时,Ic随温度的下降而升高; T

关键词:

La2-xBaxCuO4单晶反常的正常态输运性质研究

李鹏程 , 杨宏顺 , 李志权 , 柴一晟 , 余旻 , 章良 , 曹烈兆 , 周玉琴 , 陈兆甲

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.02.006

测量了La2-xBaxCuO4系列单晶样品的电阻率和热电势,我们发现,当x=0.125 (x=1/8)时,La2-xBaxCuO4的载流子是所有样品中局域化最强的,但数据分析结果显示,它又是弱局域化行为.文中我们讨论了Tc的被压制的原因,得出这可能与低温下LTO到LTT的结构相变,空穴与自旋的静态条纹有序有关.热电势结果观察不到任何声子曳引的痕迹,表明在LBCO体系中电声子的相互作用很弱.

关键词:

电子型超导体Sm2-xCexCuO4欠掺杂区域(0.09≤x≤0.15)的异常热电势和电阻率行为

曹烈兆 , 杨宏顺 , 柴一晟 , 李鹏程 , 李志权 , 陈兆甲 , 余旼

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.03.006

测量了欠掺杂区域Sm2-xCexCuO4(0.09≤x≤0.15)多晶样品的热电势S和电阻率ρ的温度依赖关系.电阻率ρ在低于200K处斜率发生改变,表明低温下发生载流子弱局域化.热电势S高温下满足线性温度依赖关系,随着温度降低,在200~250K发生斜率改变,可以用赝能隙的开放解释.所有的样品在50K观察到一个曳引峰,表明载流子符号发生改变,由电子型转变为空穴型.

关键词:

Sr2RuO4超导转变温度附近c方向磁阻行为研究

刘亚静 , 雒建林 , 陈兆甲 , 王万录

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.02.004

测量了Sr2RuO4正常态和超导转变温度附近(T=1.5K,4.0K,6K)c方向的磁阻,通过对正常态磁阻分析获得了Sr2RuO4在温度4K和6K下的平均自由程.通过超导涨落分析获得了Sr2RuO4的超导特性参数ξab(0)和ξc(0).

关键词: 超导涨落 , 磁阻 , 相干

反常输运性质Bi2Sr2CaCu2O8单晶的生长

王文虎 , 王正道 , 熊玉峰 , 陈兆甲

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.03.005

使用自助熔剂融化法成功的制备了Bi2Sr2CaCu2O8超导单晶.在对所得单晶进行输运性质的研究时,我们发现一种反常的物理特征:在超导涨落区观察到反常的电阻峰,从Bi2Sr2CaCu2O8单晶的颗粒超导电性方面我们给出了合理的解释.

关键词:

磁场对重电子金属CeCu6-xNix低温电阻的影响

孟继宝 , 陈兆甲 , 雒建林 , 景秀年 , 白海洋

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.01.001

测量了重电子金属CeCu6-xNix(x=0,0.05,0.1),在1.8K~300K温度范围的电阻及磁场对电阻的影响(H=0,5T,10T).实验表明样品电阻的极大值对应的温度Tmax随着掺Ni含量的增大向温度降低的方向移动,而加磁场后Tmax随磁场的增加向高温方向移动.文中从Kondo相互作用和相干散射的角度对这一现象的物理机制进行了分析.

关键词: 重费米子系统 , 低温电阻 , 近藤散射

Bi2212超导单晶中的一级融化相变的研究

王文虎 , 周玉琴 , 郑萍 , 陈兆甲

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.06.007

在干净的Bi2212超导单晶样品中,使用四引线法进行输运性质的研究(电流方向沿CuO2层),发现当外磁场(⊥ab面)小于0.09T时电阻在正常态电阻的1‰时发生突变,电阻陡降了2到3个量级,对应着一级融化的发生;当外磁场超过临界点(CP)时,电阻随温度的变化曲线出现展宽,磁通液体到磁通固态的相变为二级相变. 我们认为临界点(CP)是晶体中缺陷的函数, 缺陷驱动Bi2212超导单晶的相变由一级向二级转变.

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