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陈元安 , 王莹
硅酸盐通报
本文采用射频反应磁控溅射氧化铪钯的方法,在硅衬底成功制备了高介电HfOxNy薄膜.利用XRD研究了氮的参入对薄膜微结构的影响,结果表明,氮的参入可以提高薄膜的晶化温度；傅立叶红外吸收光谱研究表明高温退火导致了HfOxNy薄膜与Si之间界面层的生长,并且随着退火温度的升高,界面层逐步增厚.
关键词: HfOxNy薄膜 , 射频反应磁控溅射 , 微结构 , 界面特性
