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衬底氮化时间对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响

陈伟绩 , 秦福文 , 吴爱民 , 王文彦

功能材料

采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底氮化时间对GaN薄膜质量的影响.结果表明,氮化时间为5min时,得到的GaN薄膜呈高度c轴择优取向,结晶性较好,薄膜表面是由许多亚微米量级的表面岛按一致的取向规则堆砌而成的,薄膜表面较为平整且呈n型导电;氮化时间增加,薄膜结晶性反而变差.

关键词: GaN , 氮化 , ECR-PEMOCVD , 玻璃衬底

ZnO:Al衬底上低温生长GaN薄膜

杨智慧 , 秦福文 , 吴爱民 , 宋世巍 , 刘胜芳 , 陈伟绩

人工晶体学报

利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO:Al薄膜.采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO:Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜.利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响.

关键词: 掺铝氧化锌衬底 , GaN薄膜 , 低温生长

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