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α-C:F薄膜的键合结构与电子极化研究

叶超 , 康健 , 宁兆元 , 程珊华 , 辛煜 , 方亮 , 陆新华 , 项苏留

利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术,通过改变微波输入功率的方法,沉积了具有不同结构特征的氟化非晶碳(α-C:F)薄膜.随着微波功率从M0w升高到560w,薄膜的光频介电常数从2.26降至1.68,红外光谱(FTIR)分析表明薄膜的键结构由以CF基团为主变化到CF与cF2基团共存.由于CF2基团的极化比CF基团弱,薄膜中CF2基团的增加可能是导致光频介电常数减小的因素.

关键词: α-c:F薄膜 , 键结构 , 电子极化

微波ECR-CVD法制备a-C:F:H膜的红外吸收及其光学带隙

甘肇强 , 陆新华

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.02.004

改变CHF3/CH4流量比R=[CHF3]/([CHF3]+[CH4]),采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWECR-CVD)方法沉积a-C:F:H薄膜.a-C:F:H薄膜的结构和光学带隙使用傅立叶变换红外光谱和紫外-可见光谱来表征.红外结果表明,在低流量比R(R<64%)下,薄膜的红外特征结构主要以-CF(1060cm-1),-CF2(1120cm-1)以及-CHx(2800～3000cm-1)的伸缩振动为主;在高流量比R(R＞64%)下,薄膜表现为类聚四氟乙烯(PTFE)的结构特征,典型的红外特征峰是位于1220cm-1处的-CF2反对称伸缩振动.薄膜的光学带隙Eg随流量比R的变化表现为先降后升.进一步研究表明,薄膜中的H和F浓度调制着薄膜的 C==C共轭双键结构,使光学带隙Eg从2.37到3.3之间变化.

关键词: a-C:F:H薄膜 , 傅立叶变换红外光谱 , 紫外可见光谱

Synthesis, Characterization and Crystal Structure of Neutral Homoleptic Lanthanide Amide Yb(NPh2)3(THF)2

姚英明 , 毛礼胜 , 陆新华 , 沈琪 , 孙杰

稀土学报(英文版)

关键词:

不同因素对浸入式水口预热温度场的影响

罗会信 , 张学军 , 陆新华 , 陆勇刚

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2004.04.014

运用大型有限元分析软件ANSYS的FLOTRAN CFD模块对浸入式水口在抽风式预热烘烤方式下的瞬态传热过程及影响水口预热温度场的各种因素进行了研究,得到了该烘烤方式下水口预热后的温度场分布和水口的升温曲线.研究结果表明:影响水口预热温度的最主要因素是抽风流量和烘烤箱的几何尺寸;适当提高抽风流量、减小烘烤箱的几何尺寸可以大大提高水口颈部的预热温度,从而降低浸入式水口的事故率.

关键词: 浸入式水口 , 烘烤方式 , 温度场 , 有限元法

Synthesis, Characterization and Crystal Structure of Neutral Homoleptic Lanthanide Amide Yb(NPh2)3(THF)2

姚英明 , 毛礼胜 , 陆新华 , 沈琪 , 孙杰

稀土学报(英文版)

关键词:

ECR-CVD制备的SiOx/a-C:F/SiOx多层膜的结构与介电性质

陈军 , 辛煜 , 许圣华 , 宁兆元 , 陆新华

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.004

使用80%Ar稀释的SiH4,O2,CHF3和CH4作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了SiOx/a-C:F/SiOx多层膜.傅里叶变换红外测试结果表明了多层膜中存在大量的C-F,C=C,Si-O键,同时由于器壁的吸附效应,膜中还存在少量的Si-C和Si-F键,这些键的存在从x射线光电子能谱的深层剖析结果得到了证实.热退火的结果表明了薄膜的红外结构没有发生太大的变化,薄膜的介电常数经过400℃的退火后仅上升了8%.实验结果表明了ECR-CVD制备的SiOx/a-C:F/SiOx多层膜可以成为超大规模集成电路中层间绝缘层的候选材料.

关键词: 多层膜 , 氟化非晶碳膜 , 介电常数 , ECR-CVD