徐家跃
,
武安华
,
陆宝亮
,
张爱琼
,
范世(马山豆)
,
夏宗仁
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.019
报道了我们在Li2B4O7、Sr3Ga2Ge4O14、LiNbO3、LiTaO3等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展.采用改进型坩埚下降法成功生长了直径3～4英寸的Li2B4O7晶体,并实现了批量生产.作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一,Sr3Ga2Ge4O14晶体具有最大的压电系数.报道了直径2英寸Sr3Ga2Ge4O14晶体的生长结果,测试了该晶体的压电性能.在CO2(90%)、H2(10%)混合气氛中,分别在700℃和450℃下对LN和LT晶片进行化学还原处理,成功制备了3英寸LN和LT低静电黑片,不仅减少了器件制作工序,而且使成品率提高了5～8百分点.此外,在密封坩埚中生长了低静电LiNbO3晶体,观察到一些新的现象.
关键词:
压电
,
坩埚下降法
,
晶体生长
,
黑片
,
声表面波
金敏
,
徐家跃
,
申慧
,
陆宝亮
人工晶体学报
采用化学腐蚀方法研究了坩埚下降法生长的PZNT93/ 7晶体(001)晶面的腐蚀行为.在PZNT晶体表面观察到反平行180°原生态铁电畴,在抛光样品表面观察到位错蚀坑、包裹物、机械加工划痕等缺陷形貌,并对腐蚀机理进行了探讨.化学腐蚀还揭示了微观畴的动力学变化,显示畴结构对环境变化十分敏感.
关键词:
PZNT93/7晶体
,
化学腐蚀法
,
畴结构
,
腐蚀坑
徐家跃
,
童健
,
侍敏莉
,
陆宝亮
,
张爱琼
,
范世骥
无机材料学报
以50mol％PbO为助溶剂,采用溶剂-坩埚下降法生长了Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.93Ti0.07]O3(PZNT93/7)弛豫铁电单晶.为了控制成核,我们在坩埚底部设计了一个通气装置以诱导自发成核.晶体在Pt坩埚中生长,坩埚尺寸为40mm×40mm×300mm,下降速率为0.5mm/h,通气流量为1～1.6L/min.所得晶体最大尺寸达φ30mm×25mm.该晶体具有明显的结晶学形貌.X射线定向表明,其主要显露面为(001).由于气流不稳定以及质量输运较慢,晶体内部容易形成一些红色PbO包裹.介电和铁电性能研究表明,该晶体的性能能够满足新型医疗诊断设备对阵列换能器的要求.
关键词:
PZNT
,
relaxor ferroelectric single crystal
,
flux-Bridgman method
,
crystal growth
,
PbO flux
杨波波
,
徐家跃
,
申慧
,
张彦
,
陆宝亮
,
江国健
人工晶体学报
本文采用固相合成方法制备了Bi4(GexSi1-x)3O12 (BGSO)固溶体(x=0～0.4),研究了它的固溶特性和析晶行为.实验结果表明,不同组成混合料在900℃左右固相反应能生成BGSO纯相；XRD分析显示,在x=0～0.4区间内,Bi4Si3O12和Bi4Ge3O12可以完全互溶,其晶格常数随x的增加呈线性增长.采用坩埚下降法生长了x=0.15组成的BGSO混晶,获得了透明晶体,并测试了晶体的光学性能.
关键词:
Bi4Si3O12
,
Bi4Ge3O12
,
析晶行为
,
坩埚下降法
,
晶体生长
徐家跃
,
童健
,
侍敏莉
,
陆宝亮
,
张爱琼
,
范世(马岂)
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.02.002
以50mol%PbO为助溶剂,采用溶剂-坩埚下降法生长了Pb[(Zn1/3Nb2/3)o.93Tio.07]O3(PZNT93/7)弛豫铁电单晶.为了控制成核,我们在坩埚底部设计了一个通气装置以诱导自发成核.晶体在Pt坩埚中生长,坩埚尺寸为40mm×40mm×300mm,下降速率为0.5mm/h,通气流量为1～1.6L/min.所得晶体最大尺寸达φ30mn×25mm.该晶体具有明显的结晶学形貌.X射线定向表明,其主要显露面为(001).由于气流不稳定以及质量输运较慢,晶体内部容易形成一些红色PbO包裹.介电和铁电性能研究表明,该晶体的性能能够满足新型医疗诊断设备对阵列换能器的要求.
关键词:
PZNT
,
弛豫铁电单晶
,
坩埚下降法
,
晶体生长
,
PbO助溶剂
侍敏莉
,
陆宝亮
,
徐家跃
功能材料
采用真空坩埚下降法在石墨坩埚中生长了大尺寸CaF2晶体.通过高温氟化获得无水高纯原料,自发成核发育籽晶,以＜2mm/h的生长速率,成功生长了直径170mm的CaF2晶体.研究了晶体的顶部析晶形貌、包裹体、解理等生长缺陷.
关键词:
氟化钙
,
坩埚下降法
,
晶体生长
,
缺陷
