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LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的工艺

王立峰 , 贾世星 , 陆乐 , 姜理利

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.020

对LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的原理进行了阐述,分析了薄膜质量与各项工艺参数的关系.实验时,对各项工艺参数进行调节,在保证薄膜质量和片内一致性的同时取得最大的生长速率.生长出来的多晶硅结构层厚度达到2μm;掺P多晶硅的厚度达到1OOOhA.

关键词: LPCVD , 多晶硅 , 掺P多晶硅