李瀛
,
刘毅
,
阴生毅
,
胡跃辉
,
宋雪梅
,
邓金祥
,
朱秀红
,
陈光华
功能材料
应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量a-Si:H薄膜的最佳工艺条件.
关键词:
氢化非晶硅
,
MWECR
,
CVD
,
氢含量
荣延栋
,
阴生毅
,
胡跃辉
,
吴越颖
,
朱秀红
,
周怀恩
,
张文理
,
邓金祥
,
陈光华
功能材料
采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.
关键词:
非晶硅
,
红外
,
光致衰退
吴越颖
,
胡跃辉
,
阴生毅
,
荣延栋
,
王青
,
高卓
,
李瀛
,
宋雪梅
,
陈光华
功能材料
我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6～1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.
关键词:
a-Si:H薄膜
,
热丝
,
光敏性
,
沉积速率
王青
,
阴生毅
,
胡跃辉
,
朱秀红
,
荣延栋
,
周怀恩
,
陈光华
功能材料
采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.
关键词:
氢化非晶硅
,
氢含量
,
光敏性
,
光致衰退
张永清
,
阴生毅
,
郭炜
,
朱敏
,
刘红军
人工晶体学报
为研制出适用于Ka波段(26.5～40GHz)微波管的高性能微波衰减陶瓷,在Al2O3-TiO2微波衰减陶瓷的基础上,开展了添加钨粉、改变烧结方法对材料电磁参数和热导率影响的研究.结果表明,用热压烧结方式并添加20wt％粒度为4～5 μm的钨粉,可制造出综合性能良好的Ka波段专用微波衰减陶瓷.这一衰减陶瓷的典型性能为,介电常数13.90～21.83,损耗角正切0.20 ～1.02,热导率2.92 W/m·K.
关键词:
微波衰减陶瓷
,
Al2O3-TiO2
,
热压烧结
,
热导率
周怀恩
,
陈光华
,
朱秀红
,
阴生毅
,
胡跃辉
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.019
氢化非晶硅薄膜具有优异的光电特性,在制备薄膜太阳能电池中有重要的应用.本文采用热丝辅助MWECR CVD技术,通过调整各种工艺参数,制备了高沉积速率(DR＞2.5nm/s)及高光敏性(σph/σD＞105)的氢化非晶硅薄膜.实验表明,在衬底表面温度的分布中,热丝辐射和离子轰击引起的温度对薄膜的光敏性影响较大;在薄膜沉积的最后几分钟适当加大H2稀释率,有利于薄膜光电特性的改善.
关键词:
氢化非晶硅
,
氢稀释率
,
电子回旋共振化学气相沉积
,
光敏性
