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Ni对AuGe12合金组织和性能的影响

谢宏潮 , 阳岸恒 , 庄滇湘 , 李曲波 , 贺晓燕

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2011.01.007

通过测试Au88Ge12、(Au88Ge12)99 Ni1、(Au88 Ge12)97 Ni3、(Au88 Ge12)95 Ni5合金铸态、均匀化态、热加工态、加工态的硬度,加工态抗拉强度,合金熔化温度范围,X射线衍射(XRD)和扫描电镜(TEM)分析,结果表明,在AuGe12合金加入Ni,Ni与Ge形成粗大GeNi化合物,扰乱Ge在金中均匀分布,使Ge颗粒变得粗大.随Ni加入量增加,产生GeNi化合物集聚,AuGeNi合金金相组织粗大,合金的硬度、强度降低,加工性能变差,合金熔化温度范围变宽.

关键词: 金属材料 , 金锗合金 , 金锗镍合金 , 蒸发材料 , 机械性能 , 显微组织

高纯金制备技术研究现状与展望

张济祥 , 谢宏潮 , 阳岸恒 , 朱勇 , 邓志明 , 陈登权

贵金属

高纯金(wAu>99.999%)在电子、半导体和通讯行业中的靶材、引线和集成电路等方面应用日益广泛.介绍了高纯金制备技术包括化学还原法、萃取法和电解法的基本原理和工艺流程及各自存在的优缺点,并阐述了高纯金制备技术的研究现状,对其发展前景进行了展望.

关键词: 有色金属冶金 , 高纯金 , 化学还原法 , 萃取 , 电解 , 提纯

EBSD研究高纯金溅射靶材的微观组织与织构

阳岸恒 , 朱勇 , 邓志明 , 谢宏潮 , 张国全 , 吴霏

贵金属

溅射靶材的微观组织均匀性、晶粒尺寸大小及晶粒取向分布对溅射性能有着直接的影响。采用电子背散射衍射(EBSD)技术对制备的高纯Au溅射靶材不同区域的微观组织、织构组分和晶界取向差进行了研究。结果表明,高纯金靶材整体晶粒尺寸分布均匀,平均尺寸192.5 nm,边沿及中心晶界取向差分布比较相似,组织均匀性良好,对溅射高质量薄膜十分有利。

关键词: 金属材料 , 高纯金 , 溅射靶材 , 电子背散射衍射 , 取向差 , 织构

金锗合金在电子工业中的应用

阳岸恒 , 谢宏潮

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2007.01.015

金锗合金有着低的接触电阻及与衬底粘附性好等特点,主要用于M/S (金属/半导体)中以形成欧姆接触;同时,由于其良好的润湿性、导电性和导热性及较低的封接温度和热膨胀系数,在电子封装中也得到广泛应用.

关键词: 金属材料 , 金锗合金 , 电子封装 , 金属/半导体系统 , 欧姆接触

运用电子背散射衍射技术研究高纯金溅射靶材的微观组织与织构

朱勇 , 阳岸恒 , 张济祥 , 谢宏潮 , 卢绍平

有色金属工程 doi:10.3969/j.issn.2095-1744.2016.01.002

电子背散射衍射(EBSD)技术是分析高纯金靶材微观组织的有效手段,可以快速高效地定量统计材料的微观组织结构、织构、晶粒尺寸、取向差.运用电子背散射衍射技术,研究通过优化真空熔炼工艺制备的高纯金溅射靶材不同区域的微观组织、晶界取向差和织构.结果表明,高纯金靶材组织由细小的等轴晶组成,平均晶粒尺寸为206 nm,样品在轧制过程中发生再结晶,样品所测得的织构(110)平行于轧面,轧向不确定,为较弱的织构.

关键词: 高纯金 , 溅射靶材 , 电子背散射衍射 , 取向差 , 织构

金基蒸发材料应用及生产现状

阳岸恒 , 谢宏潮 , 贺晓燕

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2010.02.002

由于高纯金及金基蒸发材料具有良好的物理化学性能,广泛应用于金属-半导体系统,是半导体行业的重要基础材料.目前,金基蒸发材料用作工业化生产的主要有丝材、块状、棒状等产品,并大量用于LED照明、太阳能电池、微波半导体器件生产,具有良好的经济效益及社会效益.

关键词: 高纯金 , 金基蒸发材料 , 欧姆接触 , 金属-半导体

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