李友荣
,
阮登芳
,
彭岚
,
吴双应
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2004.02.019
使用有限元方法对炉内的质量传递过程进行了全局数值模拟,研究了硅单晶Czochralski(Cz)法生长时氧传输的基本特性.结果表明:在小型硅Cz炉中,晶体中的氧浓度主要取决于熔体的流型和气相传质速率;安装在热区的气体导板可有效强化气相传质系数并改变熔体的流型,Marangoni效应可将自由界面处低氧浓度的熔体带至结晶界面,使晶体中氧浓度降低.
关键词:
材料科学基础学科
,
全局分析
,
有限元方法
,
硅Cz炉
,
质量传递
李友荣
,
阮登芳
,
彭岚
,
吴双应
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2004.02.018
利用有限元方法对炉内的动量和热量传递过程进行了全局数值模拟,研究了硅单晶Czochral-ski(Cz)法生长时的总体传热和流动特性.假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流,熔体为不可压缩流体,Cz炉外壁温度维持恒定,模拟结果表明:熔体流型及炉内传热特性与Marangoni效应密切相关,设置在晶体和坩埚间的气体导板能降低加热器的功率并改变熔体流型.
关键词:
材料科学基础学科
,
全局分析
,
有限元方法
,
硅Cz炉
