龚恒翔
,
阎志军
,
杨映虎
,
王印月
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.033
采用RF反应溅射法在Si(111)、玻璃衬底上制备了具有良好C轴取向的多晶ZnO薄膜.用XRD分析了沉积条件(衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类)对样品结构的影响.发现(1)薄膜的取向性随着衬底温度的升高而增强,超过400℃后薄膜质量开始变差;(2)工作气体中氧与氩气压比(PO2/PAr)为2:3时,薄膜取向性最好;(3)薄膜晶粒尺寸11～34nm,相同沉积条件下,单晶硅衬底样品(002)衍射峰强度减弱,半高宽无明显变化.
关键词:
ZnO薄膜
,
RF反应溅射
,
择优取向
