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理论研究ZnO掺杂Al;Ga;In电子结构与光学属性

张威虎 , 张富春 , 张志勇 , 阎军峰 , 负江妮

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.009

计算了Ga、Al、In掺杂对ZnO体系电子结构和光学性质的影响.所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一原理平面波超软赝势方法.计算结果表明:Ga、AI、In掺杂在ZnO中占据了Zn位置,为n型浅施主掺杂,导带底引入了大量由掺杂原子贡献的导电载流子,明显提高了体系的电导率.同时,光学带隙展宽,且向低能方向漂移,可作为优良的透明导电薄膜材料.同时,计算结果为我们制备基于ZnO透明导电材料的设计与大规模应用提供了理论依据,也为监测和控制ZnO透明导电材料的生长过程提供了可能性.

关键词: ZnO , 第一性原理 , 掺杂 , 光学属性 , 密度泛函理论

应力条件下ZnO电子结构的第一性原理研究

张富春 , 邓周虎 , 允江妮 , 阎军峰 , 张威虎 , 张志勇

功能材料

计算了外压调制下ZnO体系电子结构特性,分析了外压对ZnO电子结构的影响.所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法.结果表明:随着压力的逐渐增大,Zn-O键长缩短,价带与导带分别向低能和高能方向漂移,带内各峰发生小的劈裂,带隙Eg明显展宽,Zn的3d电子与O的2p电子杂化增强.

关键词: ZnO , 第一性原理 , 电子结构 , 调制 , 应力

Pb0.5Sr0.5TiO3精细结构的第一性原理分析

张威虎 , 张富春 , 张志勇 , 阎军峰

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2009.02.016

在广义梯度近似下,采用基于密度泛函理论框架下的第-性原理和虚拟晶体近似(VCA)方法,计算了Pb0.5Sr0.5TiO3(PST)电子结构及其属性.分析了PST固溶体总体能量变化趋势,确定了A位离子在铁电相的平衡构型.计算结果表明:在PST固溶体中,当Ti原子相对于氧八面体沿[001]方向发生约0.012 nm偏心位移,PST出现能量极小值.O 2p和Ti 3d轨道的强杂化以及部分O-Pb和O-Sr轨道杂化间接增强了TiO6八面体的畸变,体系总能量降低,促进了PST铁电畴变的形成.

关键词: Pb0.5Sr0.5TiO3(PST) , 精细结构 , 铁电性 , 第-性原理 , 虚拟晶体近似(VCA)

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