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外吸除用硅片背面加工技术的研究

闵靖 , 邹子英 , 李积和 , 周子美 , 陈青松 , 陈一

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.05.006

用 SEM、TEM 和光学显微镜研究了硅片背面的机械损伤(包括软损伤)和多晶硅的晶格结构,以及热处理过程中晶格结构和缺陷的演化,探索了吸杂的机理.实验结果表明,用本技术能减少S坑密度,提高硅片产生寿命,对金、铜等金属杂质有吸杂的效果.

关键词: 机械损伤 , 软损伤 , 氧化诱生层错 , S坑缺陷 , 外吸除 , 内吸除

高温氢气退火提高硅片质量的研究

邹子英 , 闵靖

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.025

研究了硅片高温氢气退火的工艺技术,实验显示,在高温1150℃,在高纯氢气氛中退火处理至少60min,在硅片表面产生约50μm以上的洁净层.测试了退火后硅片中氧的深度分布,发现硅片表面有一层低氧区,能提高硅片的质量,使氧化层错的密度降低一个数量级,测试数据还表明高温氢退火对降低COP缺陷的密度和提高氧化层的质量也有一定的效果.

关键词: 高温氢退火 , 氧沉淀 , 晶体原生颗粒(COP) , 氧化层错 , 与时间有关的介质击穿(TDDB)

研磨倾斜角度对扩展电阻测试量值的影响

吴晓虹 , 闵靖

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.022

讨论了在检测半导体器件和集成电路芯片时,不同研磨倾斜角度对扩展电阻量值的影响。

关键词: 扩展电阻技术 , 倾斜角 , 扩散 , 离子注入

淀积在硅片上起杂质吸除用的多晶硅的研究

闵靖 , 邹子英 , 李积和 , 陈青松 , 周子美 , 陈一

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.016

在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽.在多晶硅层完全去除后在硅衬底中诱生出高密度的氧化层错起吸除中心作用.多晶硅能促进硅片内的氧沉淀成核和生长,起内吸杂作用.本文提出了多晶硅持续吸杂的机理.

关键词: 多晶硅吸杂 , 内吸杂 , 增强吸杂 , 氧沉淀 , 氧化层错 , 洁净层

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