周伟峰
,
薛建设
,
明星
,
刘翔
,
郭建
,
谢振宇
,
赵承潭
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112601.0019
将具有低介电常数的丙烯酸酯树脂作为薄膜晶体管液晶显示器的钝化层整合到阵列基板中.与传统的SiN<,x>薄膜(ε≈7)相比,丙烯酸酯树脂钝化层具有平坦的表面,其低介电常数(ε≈4.5)可以降低器件的RC延迟,这都将有利于提高薄膜晶体管液晶显示器的开口率,从而提高显示器的亮度,降低能耗和制作成本.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
低介电常数
,
丙烯酸酯树脂
,
钝化层
周伟峰
,
薛建设
,
金基用
,
刘翔
,
明星
,
郭建
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112602.0165
通过对掩膜版上不同狭缝与遮挡条设计与TFT沟道形貌、电学特性相互关系的分析,发现随着狭缝与遮挡尺寸的减小,TFT的电学特性、沟道处光刻胶起伏与最终关键尺寸偏移量都会改善.狭缝的尺寸比遮挡条的尺寸对TFT特性的影响更加显著.考虑到沟道转角处的短路几率问题,小的狭缝与遮挡条尺寸设计更加适合于四次掩膜光刻工艺,转角处的缺陷可以通过调整遮挡条的尺寸来避免.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
沟道设计
,
四次掩膜曝光
李田生
,
谢振宇
,
张文余
,
阎长江
,
徐少颖
,
陈旭
,
闵泰烨
,
苏顺康
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122704.0493
为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,研究了通过改变钝化层(PVX)的沉积工艺来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔 (VIA)尺寸的方案,通过设计实验考察了影响过孔大小的钝化层的主要影响因素(黑点、倒角、顶层钝化层沉积厚度,顶层钝化层沉积压力),得出了在不改变原有刻蚀方式基础之上使过孔的尺寸降低20％～30％的优化方案,并对其进行了电学性能评价(Ion:开态电流、Ioff:关态电流、Vth:阈值电压、Mobility:迁移率),从而获得了较佳的减小过孔尺寸的方案,提高了产品品质.
关键词:
钝化层
,
刻蚀
,
过孔
田宗民
,
陈旭
,
谢振宇
,
张金中
,
张文余
,
崔子巍
,
郭建
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132806.0849
对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化,设定4个实验条件,考察了不同条件下膜层的均匀性,TFT产品的开路电流(I.n)的整体分布规律以及均匀性,Ion的提升比例以及产品的阈值电压,确定条件二为最优条件.对比优化前后产品的栅极偏应力下TFT的转移曲线和高频信号下电容-电压曲线,进一步分析了产品的电学稳定性.研究发现I.n提升了42％,开关比(I.n/I..)提升了约70％,优化后的TFT的稳定性优于优化之前,达到了改善TFT特性的目的.
关键词:
栅极绝缘层
,
有源层
,
沉积条件优化
,
电学特性
,
改善
李田生
,
谢振宇
,
李婧
,
阎长江
,
徐少颖
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132805.0720
TFT-LCD产品为现代显示的主流,如何提高其显示品质成为大家普遍关注的问题,尤其近期发现的过孔发黑(黑点)问题尤为突出,严重影响了产品的良率,降低了产品的品质,文章通过研究发现产生黑点不良的罪魁祸首不是过孔刻蚀的问题,而是有源层刻蚀工艺所导致的,并有针对性地进行了试验设计,分别考察了有源层刻蚀条件、附加一步刻蚀方式对黑点不良的解决效果,根据实验效果附加一步刻蚀方式完美地解决了黑点不良问题,从而将产品的良率提升了3％～4％,而电学性能评价(Ion:开态电流、Ioff:关态电流、Vth:阈值电压、迁移率)和正常条件相比没有异常,从而获得了最终完美的解决该不良的方案,提高了产品品质.
关键词:
有源层
,
刻蚀
,
黑点
曲连杰
,
陈旭
,
郭建
,
闵泰烨
,
谢振宇
,
张文余
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122704.0466
研究了氮化硅材料在触摸屏领域中的应用,利用等离子体化学气相沉积技术,在一定厚度的玻璃表面沉积不同厚度的氮化硅薄膜.通过理论分析和试验测试的方法得到了氮化硅膜层厚度和折射率对触摸屏透过率以及表面宏观颜色的影响.分析结果表明,氮化硅膜层折射率对触摸屏的平均透过率影响明显,而膜层厚度对触摸屏的平均透过率影响很小,但是膜层厚度的改变对触摸屏特定波长处透过率和膜层宏观颜色影响很明显.在实际生产中可以通过改变沉积条件获得合适折射率及厚度的氮化硅薄膜材料.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
触摸屏
,
透过率
,
氮化硅
李婧
,
张金中
,
谢振宇
,
阎长江
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132804.0547
利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx∶H和a-Si∶H薄膜.通过电学、光学、力学测试研究了SiNx∶H薄膜沉积条件对其界面性能的影响.研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性.当SiH4和NH3气体流量比值为7∶15时,开关比(Ion/Ioff)可达3.24×10 7.适当增加功率同样可以提高Ion,但高于31.5 W/cm2后,只会严重地增大薄膜的应力.优化SiNx∶H的沉积参数,开关比可以提高5.5倍.
关键词:
SiNx∶H界面态
,
Si/N
,
开关比
,
TFT特性
李田生
,
陈旭
,
谢振宇
,
徐少颖
,
闵泰烨
,
张学智
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142905.0674
为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,之前做过钝化层沉积工艺优化来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔尺寸的研究.本文在此基础上进行过孔刻蚀工艺的优化,从而最终达到进一步减小过孔尺寸实现TFT-LCD小型化与窄边框化的趋势.通过设计实验考察了影响过孔大小刻蚀主要影响因素(功率、压强、气体比率、刻蚀速率选择比).实验结果表明,在薄膜沉积优化的基础上可使过孔的尺寸再降低10％～20％.对其进行了良率检测与工艺稳定性评价,最终获得了过孔尺寸减小的方案,并成功导入到产品生产中,从而提高了产品品质.
关键词:
钝化层
,
刻蚀
,
过孔
曲连杰
,
郭建
,
史大为
,
陈旭
,
闵泰烨
,
杨莉
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153002.0246
为了满足市场对显示产品高分辨率的要求，需要从产品的设计和工艺各个方面进行优化，其中过孔尺寸和线宽两个因素对阵列基板分辨率影响最大，本文通过相移掩模技术可以实现对过孔尺寸的精确控制，通过在普通过孔上增加一定厚度和透过率的相移层，并对各种参数下过孔的光透过率进行模拟分析，可以获得不同相移层参数对过孔特性的影响，最后提出一种可以获得稳定微小过孔的方法。结果表明，通过对相移层透过率和宽度的控制，可以获得对曝光光强不敏感的稳定微小过孔，曝光量增大一倍乃至数倍的过程中，过孔尺寸始终保持稳定，提高了工艺容忍度。对于模拟中过孔尺寸可以小于设备的4μm 分辨极限。通过减小过孔尺寸，可以有效提升 TFT 显示产品的开口率，实现产品对高分辨率的要求。
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
过孔
,
高分辨率
