冯德伸
,
李楠
,
苏小平
,
杨海
,
闵振东
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.01.007
采用直拉法生长 4 英寸低位错锗单晶,研究了热场温度梯度、缩颈工艺、拉晶工艺参数对单晶位错密度的影响,测量了单晶位错密度,结果表明位错密度小于3000.cm-2,满足空间GaAs/Ge太阳电池的使用要求.
关键词:
4英寸锗单晶
,
温度梯度
,
缩颈
,
工艺参数
,
位错密度
冯德伸
,
苏小平
,
闵振东
,
尹士平
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.05.025
采用直拉法成功拉制直径300 mm红外锗单晶, 讨论了热场温度梯度、拉晶工艺参数以及浮渣对拉晶的影响, 测量了单晶电阻率、红外透过率和断裂模量, 结果表明单晶满足红外光学系统的使用要求.
关键词:
Φ300 mm红外锗单晶
,
热场
,
工艺参数
,
浮渣
,
性能测试
