史强
,
闫珂柱
,
王晓丽
,
刘志泉
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.06.011
运用热力学统计中Kramers理论和Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB)近似理论,分析了三结磁通量子比特中处于亚稳态粒子的热逃逸和量子隧穿逃逸.在0.01～4.2 K温度下,计算出了粒子的逃逸率,得到了跳变磁通随磁场和温度变化的分布规律,并同两结超导干涉仪的分布规律进行了定量比较.结果显示,三结磁通量子比特自身噪声比两结超导干涉仪大.
关键词:
量子信息
,
磁通量子比特
,
亚稳态
,
约瑟夫森结
许春玉
,
史萌
,
闫珂柱
连铸
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.06.008
采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上制备稀土Eu3+掺杂的ZnO薄膜材料,分别在纯氧和真空气氛中进行退火处理.XRD图谱中仅观察到尖锐的ZnO(002)衍射峰,表明ZnO∶Eu3+,Li+薄膜具有良好的c轴取向.薄膜的结构参数显示:在纯氧气氛中退火的样品具有较大的晶粒尺寸且应力较小,表明在纯氧中退火的样品具有较好的结晶质量.通过光致发光谱发现,在纯氧中退火的样品的IUV/IDL比值较大,说明在纯氧中退火的样品缺陷去除更充分,结晶质量更好.当用395 nm光激发样品时,仅发现Eu3+位于595 nm附近的5Do→7F1磁偶极跃迁峰.并没有发现Eu3+在613 nm附近的特征波长发射,表明掺杂的Eu3+占据了ZnO基质反演对称中心格位.
关键词:
薄膜光学
,
氧化锌
,
退火
,
应力
,
光致发光
