门传玲
,
徐政
,
安正华
,
张苗
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.001
采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜.以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足键合需要.利用智能剥离技术(Smart-cutprocess)成功地制备了以AlN薄膜为埋层的SOI(silicon-on-insulator)材料.剖面透射电镜照片(XTEM)给出了此SOI结构,高分辨TEM实验结果表明上层硅具有与衬底硅相似的结晶质量可满足器件制造的要求.
关键词:
AlN薄膜
,
键合
,
SOI
,
离子束增强沉积
邵秋萍
,
张华
,
门传玲
,
田子傲
,
安正华
材料导报
采用热蒸发法在50℃、100℃、150℃这3种不同的基底温度下沉积CdS薄膜,且对150℃生长的CdS薄膜取样进行退火处理30 min,并对所有样品的微观结构和光学特性进行了分析.结果表明,不同基底温度下制备的CdS薄膜均具有(002)择优取向生长的特征,且随着基底温度的升高,(002)特征衍射峰强度增加,半高宽变小,相应薄膜结晶度增大,有利于晶粒的生长.最终发现,150℃生长且经过退火处理的薄膜具有较为明显的六方相CdS多晶薄膜结构和较优的光学性能,能满足高效CIGS薄膜电池中缓冲层材料的基本要求.
关键词:
CdS薄膜
,
热蒸发
,
微观结构
,
光学特性
门传玲
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.003
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在硅片上合成了AlN薄膜.X射线衍射(XRD)结果证实制备的AlN薄膜具有(002)择优取向的六方纤锌矿晶体结构,并且结晶质量随Si衬底温度的提高而改善.电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)、极化曲线结果表明室温生长的AlN薄膜的击穿场强约2.5MV/cm,同时呈现明显的极化现象(类铁电),对应矫顽场强为150kV/cm,剩余极化为0.002C/m2.晶态AlN存在较强的自发极化,薄膜中可动电荷密度高,据此提出了动态电荷模型,指出较大的AlN薄膜极化回线是由于可动电荷在电场中的再分布形成的,因而有别于铁电材料.
关键词:
AlN薄膜
,
极化
,
电学性能
丁艳芳
,
门传玲
,
陈韬
,
朱自强
,
林成鲁
功能材料
研究了采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上AlN薄膜的制备及其性质.结果表明,衬底温度从室温到800℃的范围内,所得到的AlN薄膜为(002)择优取向的纤锌矿结构.随着衬底温度的升高,AlN薄膜从纳米晶结构转为多晶结构,同时表面微粗糙度上升.AlN晶粒呈柱状生长机制.
关键词:
AlN薄膜
,
KrF准分子脉冲激光沉积
,
微结构
赵明杰
,
门传玲
,
曹军
,
张自元
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.09.007
作为一种新型二维材料,石墨烯在电学、光学、传热学及力学性能等方面均表现出极其优异的特性,对石墨烯的研究也得到众多研究者的关注.同时,拥有桥状悬浮结构的悬浮石墨烯(Suspended graphene)以其杂质少、受外界干扰小等优点使得石墨烯的本征特性得到最大化施展.在研究石墨烯的电子迁移率、传热性、力学性能等方面,悬浮石墨烯有着独特的优势,并且对提升微电子器件的性能作用显著.综述了悬浮石墨烯的制备与性质研究及其在微电子领域的应用进展,并展望了悬浮石墨烯的应用前景.
关键词:
悬浮石墨烯
,
杂质少
,
外界干扰小
,
本征特性
,
微电子
张清华
,
门传玲
,
王树林
机械工程材料
用自制的滚压振动磨对活性炭进行研磨,观察研磨后活性炭的形貌、比表面积和孔径;用铁碳微电解法对生活污水进行处理,研究污水pH值、铁碳质量比、反应时间、H2O2加入量对降低COD的影响.结果表明:活性炭经研磨处理后,粒径减小到1～2μm,比表面积增加了27%;在铁碳质量比为1:1、污水pH值为3.0、H2O2加入量为400mg·L-1、反应时间为180 min时,COD的降低率最高,达70%以上,优于未研磨活性炭的;去除反应符合一级反应动力学规律.
关键词:
微电解
,
过氧化氢
,
滚压振动磨
,
活性炭
