田为中
,
钱蓉
,
喻筱静
,
齐鸣
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.019
在介电常数为2.20±0.02,厚度为254μm的Rogers5880衬底上用混合集成技术制作了9.5～10.5GHz平衡,I-Q矢量调制器.测试结果表明:各状态插入损耗为(7.5±1)dB,回波损耗大于16dB,均方根(RMS)相位误差小于5.,各状态之间的幅度不平衡小于0.5dB,可实现对9.5～10.5GHz载波信号的直接QPSK调制.文中还提出电路性能优化的一些方法.
关键词:
Rogers5880
,
I-Q矢量调制器
,
BPSK调制器
刘海文
,
孙晓玮
,
盛怀茂
,
钱蓉
,
周旻
,
李征帆
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.013
利用微波晶体管的负阻特性,基于 Agilent(R) ADS软件,设计出一种 Ku波段微带结构、变容 管调谐的 MESFET压控振荡器(简称 VCO).对 VCO进行实测, 结果表明, VCO的中心频率为 14.14GHz,调频带宽大于 100MHz,带内输出功率大于 2mW,满足实际应用.
关键词:
负阻特性
,
微带结构
,
S参数法
,
VCO
,
变容管调谐
罗源
,
李凌云
,
钱蓉
,
喻筱静
,
孙晓玮
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.02.011
在高阻硅衬底上微波传输线以及工作在7.5～8.5GHz频带的四位数字移相器.测试表明,在高阻硅衬底上制备的50Ω微带线在5～15GHz频率范围内的插入损耗低于0.8dB/cm;在同样衬底上用混合集成技术制作的7.5～8.5GHz四位数字移相器的各状态插入损耗为(7.5±3)dB,回波损耗大于12dB,均方根(RMS)相位误差小于5°.具有良好的微波器件性能.
关键词:
高阻硅
,
微带线
,
微波损耗
,
移相器
