孙敦陆
,
杭寅
,
张连瀚
,
钱小波
,
李世峰
,
徐军
,
罗国珍
,
祝世宁
,
朱永元
,
林培江
,
洪荣华
,
邓棠波
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.020
利用助熔剂提拉法,分别从掺入11mol%K2O的同成份LiNbO3熔体中和从掺入19mol%*!K2O的化学配比LiNbO3熔体中生长出高质量近化学计量比LiNbO3单晶.对这两种从不同配比熔体中生长的晶体进行光谱分析表明,与同成份比LiNbO3相比较,其紫外吸收边出现明显蓝移,OH红外吸收峰的位置和线宽也都有显著的变化.室温极化反转测试显示,两种晶体的矫顽场分别为4.4kV/mm和0.8kV/mm.根据所得测量结果,估计两种晶体中Li2O的含量分别为49.6mol%和49.9mol%.其中从掺19mol% K2O化学配比LiNbO3熔体中生长出的LiNbO3单晶的Li2O含量已非常接近50mol%的化学配比.进一步优化生长工艺,获得成份均匀、大尺寸化学计量比晶体的工作正在进行中.
关键词:
铌酸锂晶体
,
化学计量比
,
助熔剂提拉法
,
吸收光谱
孙敦陆
,
杭寅
,
张连瀚
,
钱小波
,
李世峰
,
徐军
,
罗国珍
,
祝世宁
,
朱永元
,
周圣明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.04.013
本文对用助熔剂提拉法生长的两种化学计量比LiNbO3晶体进行了测试分析,并与同成分LiNbO3晶体相比较.通过差热分析和X射线粉末衍射测试,得出随着晶体中Li2O含量的增加,其居里温度变高,晶格常数变小.用酸腐蚀晶体,通过直接观察和金相照片,分析其畴结构,得出SLN11是单畴生长,首次观察出SLN19晶体在Z切面上出现了三块面积较大的对称反畴区,将其称为区域性单畴.另外,还对晶体在(001)方向抛光面的不同位置测量了其回摆曲线,得到了其中SLN19晶体有着较完整的结晶面.期望通过改变生长参数,长出完全单畴且更加接近化学计量比的LiNbO3晶体.
关键词:
居里温度
,
晶格常数
,
区域性单畴
,
回摆曲线
张连翰
,
杭寅
,
孙敦陆
,
钱小波
,
李世锋
,
殷绍唐
,
李波
,
吴柏枚
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.007
Nd3+ :Y0.5Gd0.5VO4晶体作为一种新的激光材料,可以用中频感应加热提拉法生长. X射线 粉末衍射分析表明它的结构与 Nd3+ :YVO4晶体结构相同 , 它的晶格常数介于 YVO4和 NdVO4晶 格常数之间.用 ICP光谱法测定晶体中 Nd3+含量为 0.8at%,分凝系数为 0.8,与 Nd3+ :GdVO4晶 体中 Nd3+的分凝系数 0.78相当;用称重法测定其密度为 5.00g/cm3;用稳态纵向热流法测出其室 温热导率为 12.5W/mK.实验表明 Nd3+ :Y0.5Gd0.5VO4晶体有希望作为高功率 LD泵浦激光晶体 材料.
关键词:
Nd3+ :Y0.5Gd0.5VO4晶体
,
ICP光谱
,
分凝系数
,
热导率
徐军
,
周国清
,
邓佩珍
,
司继良
,
钱小波
,
周永宗
,
王银珍
,
周圣明
,
朱人元
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.013
温度梯度法(TGT)生长的Al2O3晶体因石墨发热体在高温时的挥发和原料中过渡性金属离子的存在,晶体在不同部位呈现不同颜色,一般上部为浅红色,尾部为浅黄绿色.将TGT法生长的Al2O3晶体(φ110×80mm3)依次经过高温氧化气氛、高温还原气氛脱碳、去色退火实验,即"两步法"退火实验,晶体变成无色、透明.经测试,Al2O3晶体的完整性、光学透过率和光学均匀性均有显著提高.
关键词:
Al2O3晶体
,
去色
,
脱碳
,
退火
吴庆辉
,
唐慧丽
,
苏良碧
,
罗平
,
钱小波
,
吴锋
,
徐军
人工晶体学报
采用光学浮区法生长了尺寸φ8mm×40 mm的Ge∶β-Ga2O3单晶.XRD物相分析表明Ge∶β-Ga2O3单晶仍属于单斜晶系.为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×104/cm2.光学测试表明,与纯单晶相比,Ge∶β-Ga2O3单晶在红外波段存在明显吸收,只有位于蓝光区域的两个荧光峰,抑制了紫外与绿光波段的发光.电学性能测试得出,Ge∶β-Ga2O3单晶的电导率在10-3量级,说明掺杂Ge4+对β-Ga2O3单晶的电学性能的确有改善.
关键词:
Ge∶β-Ga2O3单晶
,
晶体生长
,
光学浮区法
,
电导率
胡克艳
,
唐慧丽
,
王静雅
,
钱小波
,
徐军
,
杨秋红
人工晶体学报
采用导模法生长了a向,尺寸为60 mm ×5 mm ×300 mm的蓝宝石单晶片,采用化学腐蚀-金相显微镜法观测了其(0001)晶面的位错特征,并且采用INSTRON-1195万能试验机测试了抛光样品的弯曲强度.结果显示:当晶体中位错缺陷分布均匀时,在外部弯曲应力下,蓝宝石晶体发生特定晶面的高强解理断裂,位错密度的升高对蓝宝石弯曲强度没有明显损害作用.然而当晶体中出现位错密排结构时,蓝宝石单晶常温弯曲强度迅速下降.
关键词:
导模法
,
蓝宝石
,
位错缺陷
,
弯曲强度
张连翰
,
杭寅
,
孙敦陆
,
钱小波
,
李世锋
,
殷绍唐
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.01.006
本文以YVO4晶体生长过程中的V2O5挥发量与YVO4晶体颜色的关系为线索,研究了YVO4晶体颜色与YVO4晶体缺陷、光吸收特性的关系;结果表明晶体中的化学配比变量x影响了YV1-xO4-5x/2晶体颜色.x越大,V的含量越低,则晶体的颜色越浅,但与此同时因组分偏离化学配比而带来的晶体缺陷增多.所以不能无原则地减弱晶体颜色.适宜的x值为0～0.03.
关键词:
钒酸钇晶体
,
晶体颜色
,
晶体缺陷
