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张守都 , 王四亭 , 陈杏达 , 王浩炳 , 钟鹤裕 , 张顺兴 , 徐军
人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.01.009
用提拉法晶体生长工艺已成功地生长出正硅酸盐-Y2 SiO5单晶体.使用设备是一台中频感应加热炉.文中讨论了高光学质量掺Eu离子Y2 SiO5单晶体的生长工艺,已生长的晶体毛坯直径达35mm,长130mm、质量为460g、光学质量良好.
关键词: 激光晶体 , 引上法晶体生长 , 正硅酸盐
钟鹤裕
人工晶体学报
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