顾广瑞
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金逢锡
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李全军
,
盖同祥
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李英爱
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赵永年
功能材料
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,红外光谱测试表明,所有样品为六角氮化硼(h-BN)结构.经过氢、氧等离子体处理之后,在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.实验结果表明,经过氢等离子体处理后BN薄膜的场发射开启电场明显降低,发射电流明显升高;而氧等离子体处理前后对h-BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低.不同样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均为直线,表明电子发射是通过隧穿BN表面势垒发射到真空.
关键词:
氮化硼薄膜
,
场发射
,
氢等离子体
,
氧等离子体
顾广瑞
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吴宝嘉
,
金逢锡
,
金哲
,
李哲奎
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.008
利用石英管型微波等离子体化学气相沉积装置,在Si基板上制备了具有纳米针状结构的碳膜.场发射特性测试表明,纳米针状结构碳膜具有良好的场发射特性,阈值电场为2.2 V/μm,外加电场为9 V/μm时,电流密度达到65 mA/cm2.利用统计效应修改了Fowler-Nordheim (F-N) 模型,成功地解释了在低电场区域的场发射机理.但是利用修改的F-N模型,不能解释高电场区域的电流密度的饱和现象,这将有待于进一步研究.
关键词:
场发射
,
碳膜
,
纳米针
,
微波等离子体化学气相沉积
