欢迎登录材料期刊网
李垚 , 金西 , 孔德义 , 魏同立
低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.04.010
为保证ECL具有更好的电路性能,低温下制备SiGe HBT作为基本器件的SiGe ECL电路更适于低温应用,且传输延迟时间更小.
关键词:
