金桂
,
蒋纯志
,
邓海明
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2009.03.005
采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅(SiOx)薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影响.结果表明:薄膜的主要成分为氧化硅(SiOx);退火前后,薄膜的表面粗糙度由原来的1.058nm下降至0.785nm,峰与谷之间的高度差由原来的7.414nm降低至5.046nm;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增大后减小,通过800℃/100 s的快速热退火,在各种射频功率下制备的薄膜电击穿场强都有明显升高.薄膜的绝缘性能显著增强.
关键词:
射频磁控反应溅射
,
表面形貌
,
电击穿场强
金桂
,
黄小益
,
黄健全
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.06.002
研究了一类L形和矩形谐振腔侧面耦合MDM结构亚波长表面等离激元滤波器的色散关系和透射谱.研究结果表明等效折射率的实部和虚部在短波部分变化较大,在800～2000 nm长波部分趋于稳定值,传播距离随着波长的增加和介质层厚度的增加均增加,当波导宽度在50 nm以上时,SPPs的传播距离在所研究的波长范围内为4～9 μm,可以满足纳米光子器件的尺寸要求.对侧面L型谐振腔和矩形谐振腔耦合的透射谱研究表明在保持腔体总长度不变的情况下,两种耦合方式所产生的光谱曲线完全相似,说明禁带的出现只与谐振腔的长度有关系,对集成光子器件的研发具有一定的参考意义.
关键词:
表面光学
,
表面等离激元
,
滤波器
,
耦合谐振腔
,
色散关系
,
透射谱
