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ADS 模式低存储电容像素设计

栗鹏 , 朴正淏 , 金熙哲 , 金在光 , 尚飞 , 邱海军 , 高文宝 , 韩乾浩

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20173201.0019

高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称 ADS)是以宽视角技术为代表的核心技术统称,其显示模式过大的存储电容(C st )成为限制 Dual Gate GOA 4K TV 应用的主要因素.在较短的充电时间内,像素为了维持相同的充电率,需要降低 C st .本文采用一种双条形电极 ADS 结构(Dual Slit ADS),其中像素电极与公共电极交叠区域形成 ADS 结构,像素电极与公共电极间隔区域形成共面转换(IPS)结构,通过减少像素电极与公共电极的交叠面积,起到降低 ADS 模式 C st 的目的.模拟结果表明:当 ADS 显示模式采用 Dual Slit ADS 设计时,像素的 C st 可以下降30%~40%.实验结果表明:采用 Low Cst Pixel ADS 设计时,VGH Margin 可以增大2.5 V,但受到像素电极和公共电极的对位影响,透过率下降5%.

关键词: 高级超维场转换技术 , Dual Gate GOA , 4K TV , 存储电容 , 双条形电极

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