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多晶硅太阳电池双层SiNx镀膜工艺研究

采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析.结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34％.

关键词: 多晶硅太阳电池 , PECVD , 双层SiNx膜

PECVD工艺参数对双层SiNx薄膜性能的影响

周艺 , 欧衍聪 , 郭长春 , 肖斌 , 何文红 , 胡旭尧

材料科学与工程学报

采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiN；薄膜，研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响，并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现：衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响，且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。

关键词: 双层SiNx , 减反膜 , 工艺参数 , 薄膜性能

银-纳米SiO2脉冲复合电镀工艺条件的优化与性能研究

苏永堂 , 成旦红 , 张庆 , 王建泳 , 郭长春

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2005.10.002

采用正交试验,以镀层显微硬度为评价标准,得到银-纳米SiO2脉冲复合电镀的最佳工艺条件为:6 mg/L的阳离子表面活性剂,100mg/L的非离子表面活性剂,15g/L的纳米SiO2,脉宽0.5ms,占空比40%,脉冲平均电流密度0.8～1.1A/dm2.正交试验结果表明,纳米SiO2含量对镀层的影响较大.该镀液分散能力(采用远近阴极法测定)为61%,覆盖能力近似为100%,镀层硬度为246.5HV,钎焊性较好.经研究发现,空气搅拌较机械搅拌更有利于纳米微粒在镀层中的分散.XRD测试得出,复合镀层在(111)面上的择优取向得到显著加强,进一步证实该镀层结晶致密,耐蚀性较纯银镀层好.

关键词: 脉冲电镀 , 银-纳米SiO2复合镀层 , 正交试验 , 硬度 , 分散能力 , 覆盖能力 , 钎焊性

镁合金直接化学镀Ni-P合金工艺

郭长春 , 成旦红 , 李科军 , 郭国才 , 张庆 , 曹铁华

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2007.04.007

研究了镁合金经酸洗直接进行化学镀Ni-P合金工艺.用金相显微镜及扫描电子显微镜观察了镁合金表面经不同时间酸洗后的表面形貌及对镀层质量的影响.分析了镀液pH、温度对镀速的影响,并测试了镀层的表面形貌和耐蚀性.当酸洗时间为25 s时,所得到的镀层均匀致密,结合力好,耐蚀性能大大提高.

关键词: 镁合金 , 直接化学镀 , Ni-P合金 , 酸洗 , 镀速 , 耐蚀性

丁二酰亚胺脉冲无氰镀银工艺研究

张庆 , 成旦红 , 郭国才 , 郭长春 , 胡佩瑜

材料保护

以镀层表面形貌、结合力、抗变色性能和显微硬度为考核指标,采用正交试验法优选了丁二酰亚胺无氰脉冲镀银工艺参数,并与直流条件下的镀银层作了比较.结果表明,脉冲电镀所得镀层表面存在较多微型凹孔,其显微硬度及抗变色性能优于直流镀银层,晶体直径也小于直流镀层;脉冲电流区间略小于直流电镀.镀液分散性稍好于直流电镀.

关键词: 无氰镀银 , 脉冲 , 丁二酰亚胺 , 正交试验 , 镀层性能

多晶硅扩散氧化层对太阳电池性能的影响

周艺 , 肖斌 , 黄燕 , 金井升 , 郭长春 , 欧衍聪

材料导报

重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响,并对大规模生产多晶硅扩散工艺进行了优化研究.采用少子寿命测试仪分析了扩散前后的硅片少子寿命,发现当扩散氧化时的干氧流量控制在2800sccm,扩散后的方块电阻控制在60～70Ω/□时,扩散后硅片少子寿命最高达到了10.45μs,与扩散前的硅片少子寿命相比延长了5倍多;此时的太阳电池并联电阻和短路电流分别高达40.4Q和8522mA,光电转换效率也由16.69％(干氧流量2000sccm)提高到了16.83％.此外,主要针对扩散氧化层对片内方阻均匀性及少子寿命的影响做了解释.

关键词: 扩散 , 氧化层 , 少子寿命 , 太阳电池 , 多晶硅