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Φ105 mm区熔硅单晶的生长工艺研究

郭立洲

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2002.06.022

介绍了FZ硅单晶的熔区悬浮原理, 说明了生产Φ105 mm FZ硅单晶所用多晶原材料的技术标准, 通过对不同形式的加热线圈进行分析, 指出了较理想的加热线圈, 讨论了反射器和改进后的晶体夹持装置的具体应用.对Φ105 mm FZ硅单晶的关键生长工艺进行了描述.

关键词: FZ硅单晶 , 加热线圈 , 夹持装置 , 生长工艺

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