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雷平水 , 史伟民 , 郭燕明 , 邱永华 , 潘美军
功能材料
用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试;结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μ m时,为25pA/mm2).
关键词: 多晶 , 碘化汞 , 物理气相沉积 , 探测器
潘美军 , 史伟民 , 雷平水 , 李莹 , 郭燕明
人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.024
采用热壁物理气相沉积法(hot-wall PVD)制备HgI2多晶厚膜,采用XRD、金相显微镜等手段对其进行表征,结果表明多晶HgI2厚膜呈定向(001)晶向生长且晶粒尺寸大小均匀.并分析讨论了不同温度对厚膜生长的影响.通过对其I-V特性的测试表明其具有高的电阻率(达1011Ω*cm)和较好的线性关系.
关键词: 碘化汞 , 多晶 , 厚膜 , 物理气相沉积
