刘耀
,
陈曦
,
张小祥
,
刘晓伟
,
李梁梁
,
丁向前
,
郭总杰
,
袁剑峰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153005.0784
最终关键尺寸是评价薄膜晶体管液晶显示器产品性能的一项重要参数。本文研究了在光源照度变化的条件下得到准确的最终关键尺寸的方法。通过大量的实验测试、数据分析，并配合扫描电子显微镜(SEM)图片，确定最终关键尺寸合适的测试条件和方法。基于上述分析，选取测量值稳定的光照强度区间中心点的光照强度作为标准样品参照值，选取此时样品测试图片作为标准图片。测试结果与 SEM 结果进行对比，得到不同膜层测量值和真实值之间的补偿值。并通过不同尺寸产品的数据收集和分析来验证补偿值的可靠性。通过上述方法，可以极大地缩短最终关键尺寸测量的校正周期，并为今后新产品开发提供可靠的测试标准。
关键词:
最终关键尺寸
,
测试方法
,
扫描电子显微镜
,
补偿值
王守坤
,
袁剑峰
,
郭总杰
,
郭会斌
,
刘杰
,
郑云友
,
贠向南
,
李升玄
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153005.0801
对 TFT 制作工艺中,TFT 有源层刻蚀均一性与电学性质进行分析研究。通过扫描电子显微镜,电学测试设备对样品进行分析。结果显示沟道有源层的刻蚀功率,气体比例及刻蚀压强对有源层的刻蚀均一性都有较大影响,并会影响TFT 电学特性的均一性。通过适当降低刻蚀功率及反应气体 SF6/Cl2的比例,同时,降低反应压强,可以改善有源层刻蚀的均一性。从而,TFT 电学特性的均匀性得到优化。
关键词:
薄膜晶体管
,
加强型阴极耦合等离子体
,
有源层
,
非晶硅膜
,
均一性
王守坤
,
郭总杰
,
袁剑峰
,
林承武
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142903.0355
对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究.通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源测试设备对样品进行分析.结果显示接触层的等离子体界面处理对ITO的透过率和膜质特性有较大影响,可导致严重的雾状不良发生和刻蚀工艺中的膜层下端过度刻蚀的问题.通过在透明电极ITO上面沉积微薄的过渡缓冲膜层,并优化界面等离子体处理条件,可以改善雾状不良.
关键词:
铟锡氧化物
,
薄雾不良
,
边缘场开关薄膜晶体管
,
等离子体化学气相沉积
,
氮化硅膜
,
透过率
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率
白金超
,
王玉堂
,
郭总杰
,
丁向前
,
袁剑峰
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153003.0432
研究了过孔接触电阻变化规律，并进行机理分析，为优化薄膜晶体管的过孔设计提供依据。首先，运用开尔文四线检测法对不同大小、形状、数量的钼/铝/钼结构的栅极和源/漏层金属与氧化铟锡连接过孔的接触电阻进行测试。然后，通过扫描电子显徽镜、能量色散 X射线光谱仪和聚焦离子束显徽镜对过孔内部形貌进行表征。最后，对过孔接触电阻变化规律进行机理分析。实验结果表明：过孔面积越大，接触电阻越小；过孔面积相同时，长方形过孔的接触电阻小于正方形过孔的接触电阻，多小孔的接触电阻小于单大孔的接触电阻，栅极金属与氧化铟锡的过孔接触电阻小于源/漏层金属与氧化铟锡的过孔接触电阻。为了降低钼/铝/钼与氧化铟锡连接过孔的接触电阻，过孔面积尽可能最大化，采用长方形过孔优于正方形过孔，多小过孔优于单大孔设计，同时优化过孔刻蚀工艺，减少过孔内顶层钼的损失。
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
接触电阻
,
过孔设计优化
张小祥
,
颉芳霞
,
刘正
,
郭总杰
,
袁剑峰
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153003.0387
通过对TFT-LCD 制造过程中GOA单元不良原因的研究,提出了改善 GOA单元不良的方法.分析表明静电放电(ESD)的发生在于电容瞬间释放的电流过大,导致过细的金属线熔化；沟道桥接和开裂的发生在于显影效应,显影方向以及图案密度,导致局部区域沟道光刻胶厚度偏厚和偏薄.采用静电分散释放的连线设计,ESD的发生率从5．4％降低到0.04％以下.GOA单元两侧增加测试图样(Dummy Pattern)的设计防止沟道桥接的发生,减压干燥(VCD)抽气曲线的调整和软烘(Soft Bake)底部温度的优化措施防止沟道开裂的发生,沟道桥接和开裂的发生率从13．4％降低到1．22％以下.
关键词:
GOA
,
静电放电
,
沟道桥接
,
沟道开裂
,
显影效应
白金超
,
张光明
,
郭总杰
,
郑云友
,
袁剑峰
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153004.0616
研究各膜层对灰化速率的影响,增强对灰化工艺的了解,为四次光刻工艺改善提供参考.采用探针台阶仪测量在相同灰化条件下不同膜层样品的灰化速率和有源层损失量,对结果进行机理分析和讨论.实验结果表明:有源层会降低灰化速率,源/漏金属层可以增大灰化速率,栅极金属层对灰化速率无影响.对于正常膜层结构的阵列基板,源/漏层图形密度越大,灰化速率越小,图形密度每增大1％,灰化速率下降14 nm/min.有源层和源/漏金属层对灰化等离子体产生影响,从而影响灰化速率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
四次光刻
,
光刻胶
,
灰化
王守坤
,
袁剑峰
,
郭会斌
,
郭总杰
,
李升玄
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153006.0930
本文对 TFT 在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中，透明电极 ITO 成分对膜层的污染和 TFT 电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO 成分会对 PECVD 设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染，并会影响 TFT 的电学特性。建议采用独立的 PECVD 设备完成 ITO 膜层上面的栅极绝缘层和非晶硅膜层的沉积，并且对设备进行周期性清洗，可降低 ITO 成分的污染和提高产品的电学性能。
关键词:
薄膜晶体管
,
化学气相沉积
,
栅极绝缘层
,
有源层
,
非晶硅膜
,
氧化铟锡
,
电学特性
