张端明
,
杨斌
,
魏念
,
李智华
,
郑朝丹
,
吴云翼
,
郭冬云
,
王龙海
,
杨卫明
,
王耘波
,
高俊雄
,
于军
功能材料
钛酸铋基铁电薄膜具有优良的铁电、介电性能,在非挥发性存储器件方面有很好的应用前景.本文分别从制备工艺、掺杂改性、疲劳特性的研究等方面综述了最新的研究进展,并对当前研究中存在的问题进行了讨论.
关键词:
钛酸铋
,
铁电薄膜
,
制备工艺
,
掺杂改性
,
疲劳
郭冬云
,
王耘波
,
于军
,
付承菊
,
高俊雄
,
李建军
,
陈万军
功能材料
利用溶胶-凝胶(sol-gel)方法,在硅基底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12/Bi4Ti3O12/Si铁电薄膜,其中Bi4Ti3O12作为缓冲层.用XRD方法分析了该结构铁电薄膜的物相结构;用扫描电镜对薄膜样品进行表面形貌观察;并且对该结构的铁电性能进行了研究.
关键词:
铁电薄膜
,
Bi3.25La0.75Ti3O12
,
Bi4Ti3O12:sol-gel法
郭冬云
,
毛薇
,
秦岩
,
黄志雄
,
王传彬
,
沈强
,
张联盟
材料导报
利用Sol-gel工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)薄膜,研究了退火温度、保温时间和薄膜厚度对其晶相、微观结构和铁电性能的影响.在500℃退火处理的PZT薄膜开始形成钙钛矿相;在550℃退火处理的PZT薄膜基本形成钙钛矿相结构;升高退火温度(500～850℃)、延长保温时间(30～150min)、增加薄膜厚度(120～630nm)都有利于PZT晶粒的长大.在650～750℃退火的PZT薄膜具有较好的铁电性能,保温时间对PZT薄膜的铁电性能影响不大,PZT薄膜的厚度为200～300nm时可以得到比较好的铁电性能.在退火温度750℃、保温时间30min条件下退火处理厚310nm的PZT薄膜,其剩余极化值(2Pr)和矫顽电场(2Ec)分别是72μC/cm2、158kV/cm.
关键词:
Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜
,
Sol-gel工艺
,
退火温度
,
保温时间
,
薄膜厚度
,
铁电性能
王耘波
,
高俊雄
,
郭冬云
,
于军
,
魏龙
功能材料
对硅衬底生长的Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜样品测量了慢正电子多普勒展宽谱,得到了S参数随正电子注入能量的变化.通过对S参数和W参数的分析,讨论了这类材料中的捕获态特征和结构特点,结果表明,薄膜与硅衬底界面的缺陷为空位-氧复合体,La的掺杂有助于阻止空位-氧复合体向界面的扩散.
关键词:
慢正电子束
,
多普勒展宽谱
,
Bi4Ti3O12铁电薄膜
,
缺陷
王耘波
,
郭冬云
,
于军
,
曹国辉
,
魏龙
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.03.008
本文对不同Ca含量的La1-xCaxMnO3一系列样品(其中0.05≤x≤0.8)在室温下进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱的测量,结果表明:对应于出现巨磁阻效应的Ca成分范围(0.3≤x≤0.5),正电子的平均寿命τm和多普勒谱S参数随Ca含量的增加而降低,说明在这一成分范围电子局域化程度增强.具有CMR效应的样品La0.7Ca0.3MnO3正电子参数在Tc附近出现与晶格结构不稳定有关的反常变化, 反映出电子结构与CMR效应间的关联.
关键词:
毛薇
,
秦岩
,
黄志雄
,
付承菊
,
郭冬云
功能材料
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其晶格结构和微观形貌进行了表征,通过改变退火温度制得了具有单一钙钛矿结构的Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜.然后将该薄膜与环氧树脂形成复合结构材料.对其铁电性能以及复合材料的阻尼性能进行了测试,结果表明,退火温度的升高有利于改善薄膜的铁电性能,在750℃下退火的Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜,其剩余极化值2Pr达到了68.6μC/cm~2, 矫顽场强2E_c达到158.7kV/cm;同时退火温度的升高还有利于薄膜致密度的提高,对复合材料的阻尼性能也有一定的改善,当退火温度达到800℃,复合材料的阻尼损耗因子达到最大值,阻尼温域最宽,阻尼性能最好.
关键词:
退火温度
,
Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜
,
sol-gel法
,
铁电性能
,
阻尼性能
郭冬云
,
刘长永
,
王传彬
,
沈强
,
张联盟
材料导报
采用Sol-gel法制备出Bi1-xLnxFeO3(BLnF;x=0、0.05、0.10、0.15、0.20;Ln=Eu,Ho和Er)系列粉末,利用XRD分析了其晶格结构.结合容忍因子的变化分析了3种元素掺杂对BiFeO3晶格结构的影响规律,以及掺杂离子半径变化对BiFeO3晶格结构的影响趋势.结果表明,在450～550℃烧结可以得到纯相的BiFeO3粉末,烧结温度过高.容易形成Bi2Fe4O9杂相;掺杂量增加,晶格参数减小;掺杂离子半径减小,晶格参数减小;Eu、Ho和Er元素掺杂量低于0.10时,可以得到纯相的BLnF,掺杂量超过0.10后,晶格结构的稳定性变差,容易形成杂相.
关键词:
BiFeO3粉末
,
Sol-gel法
,
晶格结构
,
容忍因子
,
掺杂
付承菊
,
黄志雄
,
李杰
,
郭冬云
材料导报
采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了Bi_(0.85)Eu_(0.15)FeO_3薄膜.研究了退火温度对其晶相形成的影响,发现在较低温度退火(450℃)时,Bi_(0.85)Eu_(0.15)FeO_3晶相开始形成,但存在杂相,而且结晶度较差;在490600℃可以获得结晶较好的单相Bi_(0.85)Eu_(0.15)FeO_3薄膜.同时对经550℃退火的薄膜的介电、铁电和铁磁性能进行了研究,结果表明,Bi_(0.85)Eu_(0.15)FeO_3薄膜具有较好的介电及铁磁性能.当测试频率为1MHz时,薄膜的介电常数和介电损耗分别为80、0.024,饱和磁化强度约为26.2emu/cm~3.
关键词:
Sol-gel法
,
Bi0.85Eu0.15FeO3
,
薄膜
,
介电性能
,
铁电性能
,
铁磁性能
