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反应温度对苯热合成氮化硼纳米晶的影响

郝霄鹏 , 展杰 , 房伟 , 李玲 , 董守义 , 崔得良 , 徐现刚 , 蒋民华

功能材料

研究了不同反应温度对苯热合成立方氮化硼的影响,研究结果表明:以Li3N和BBr3为原料制备立方氮化硼时,温度对产物中立方相含量有很大影响,在200~400℃,产物主要为六方相氮化硼,随温度升高,立方氮化硼的含量随之增加;继续升高温度立方相含量在480℃达到极大值,这时样品中仍然是六方相氮化硼与立方氮化硼共存,但立方氮化硼占优势;继续升高温度,立方氮化硼迅速减少,六方氮化硼含量增加.

关键词: 苯热合成 , 氮化硼 , 立方相

Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用

王立民 , 刘振刚 , 董守义 , 于美燕 , 郝霄鹏 , 崔得良 , 徐现刚 , 王琪珑

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.04.005

研究了Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化状态对它们表面活性的影响,并比较了具有不同阳离子的纳米晶体对氮分子吸附能力的差异,对这些现象进行了解释;用XPS、红外光谱等测试手段对样品进行了性质表征.结果表明:当Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化严重时,其表面活性明显降低;含Ga的Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶对氮分子的吸附作用明显强于含In的纳米晶.这是因为Ga能够与氮分子形成较强的配位键,对氮分子的吸附作用增强.

关键词: 纳米晶 , 表面氧化 , 活化 , 配位键

GaP纳米晶对溶剂热合成氮化硼的物相和微观形貌的影响

董守义 , 郝霄鹏 , 于美燕 , 李凯 , 王琪珑 , 蒋民华 , 崔得良

功能材料

研究了溶剂热方法合成氮化硼纳米晶过程中异种晶粒对氮化硼微观形貌和物相的影响,结果表明:在不改变反应原料种类的情况下,当体系内加入GaP纳米颗粒时,制备的氮化硼纳米晶呈现"树枝"状形貌,且样品中立方氮化硼为主要物相.文中对这种微观形貌的成因进行了简单讨论.

关键词: 溶剂热方法 , 氮化硼 , 微观形貌 , 非均相成核

CdTe量子点的微波合成及其在双光子显微成像中的应用

杜婕 , 王胜江 , 吴拥中 , 郝霄鹏 , 徐成伟 , 赵显 , 于晓强

功能材料

采用微波辐射加热的方法,以亚碲酸钠(Na2TeO3)作碲源,以谷胱甘肽(GSH)作稳定剂,在水相中合成出高质量的CdTe量子点。所合成量子点的发射波长从515~630nm可调,荧光量子产率(PLQYs)最高达95%。利用X射线粉末衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光发射光谱(PL)等技术表征产物的物相结构和光学性质。用双光子激发荧光法研究CdTe量子点的双光子吸收性质。用双光子激发荧光成像技术,以发红光的CdTe量子点作为双光子荧光探针成功标记了人肺腺癌细胞(A549)。

关键词: 微波辐射 , CdTe量子点 , 双光子吸收截面 , 细胞成像

合成GaP纳米晶过程的关键影响因素

刘振刚 , 于美燕 , 白玉俊 , 郝霄鹏 , 王琪珑 , 于乃森 , 崔得良

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.009

本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素.GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同.制备的GaP纳米晶用X射线衍射仪和透射电镜进行了表征.发现了最优化的合成工艺条件,实现了GaP纳米晶的高产率(达85%)制备,而且形貌和粒度可以根据需要进行调控.

关键词: 磷化镓 , 纳米晶 , 纳米棒 , X射线衍射 , 关键因素

Zn1-xCdxTe三元量子点的微波合成及其生物相容性研究

王宇芃 , 杜婕 , 王胜江 , 吴拥中 , 徐成伟 , 郝霄鹏

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.增刊(Ⅰ).010

采用微波辐射加热的方法,在水相中一步合成出高质量的谷胱甘肽修饰的Zn1-xCdxTe三元量子点,利用X射线粉末衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光发射光谱(PL)等技术表征产物的物相结构和光学性质.研究了不同反应条件(如反应时间、Cd2+/Zn2+投料比、反应温度、前驱体溶液pH值)对量子点荧光性能的影响.采用MTT法研究Zn1-xCdxTe三元量子点的细胞毒性,进一步将制备好的三元量子点与肌动蛋白抗体结合作为荧光探针初步应用于细胞标记.

关键词: 微波辐射 , Zn1-xCdxTe三元量子点 , 谷胱甘肽 , 细胞毒性 , 细胞标记

溶剂热合成氮化硼纳米晶过程中氮源种类的影响

房伟 , 郝霄鹏 , 杨永亮 , 崔得良

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.011

以NaNH2和BCl3为原料,利用溶剂热方法合成了六方氮化硼纳米微晶,并用红外吸收光谱(FTIR)、X射线粉末衍射(XRD)方法分析了微粒的结构,利用透射电子显微镜(TEM)观测了BN微粒的粒度和微观形貌.与早期用Li3N为氮源合成的氮化硼(产物中具有较多纳米棒)相比,本文中制备的氮化硼纳米晶主要呈球形,颗粒粒度明显增大,而且产率有较大幅度的提高.

关键词: 氮化硼 , 溶剂热方法 , 纳米微晶

HVPE生长室气流分布模拟及GaCl载气流量对GaN单晶生长的影响

张雷 , 邵永亮 , 吴拥中 , 张浩东 , 郝霄鹏 , 蒋民华

人工晶体学报

采用计算流体力学软件Fluent对HVPE反应室进行了数值模拟,研究了GaCl载气流量对HVPE反应室气流分布的影响,发现GaCl载气流量是影响GaCl和NH3在衬底上均匀分布的重要因素.采用HVPE方法在不同GaCl载气流量下生长GaN单晶,研究了GaCl载气流量对GaN单晶质量的影响,得到了与模拟一致的结果.

关键词: 模拟 , GaN , 氢化物气相外延 , 气流分布

GaP纳米复合发光材料的制备和性质

崔得良 , 尉吉勇 , 潘教青 , 郝霄鹏 , 徐现刚 , 蒋民华

功能材料

用微波水热方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,研究了粒度对复合材料发光波长及发光效率的影响.结果表明:在微波水热条件下,GaP纳米晶的晶体结构不发生变化,只是在复合反应后粒度有所长大;与纯GaP纳米晶的发光光谱相比,复合后材料的发光峰变窄,发光强度显著增加,而且发光峰峰位向短波方向移动;另外,复合材料的发光波长和效率与GaP纳米晶的粒度有密切关系,粒度减小时相应的复合材料发光波段蓝移且发光效率提高.

关键词: GaP纳米晶 , 水热方法 , 复合发光材料

纳米氮化铝常压溶剂热合成及其光致发光

于美燕 , 王立民 , 郝霄鹏 , 董守义 , 徐现刚 , 王琪珑

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.004

低温常压下,在有机溶剂中制备出了氮化铝纳米晶.通过XRD、FTIR和定域电子衍射分析,样品中立方相和六方相共存;经XRD和TEM分析,样品中颗粒的平均粒度约为50nm;在样品的PL谱中,在475nm有一个非常强的由氮空位引起的发射峰,而在550nm有一个由AlN的本征缺陷及纳米颗粒的表面效应引起的宽且弱的发射峰.

关键词: AlN纳米晶 , 合成 , 光致发光

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