张银霞
,
杨乐乐
,
郜伟
,
苏建修
人工晶体学报
本文对采用截面显微检测法检测SiC晶片亚表面损伤时样品的制备、腐蚀液配方及腐蚀环境进行了系统地研究,并重点分析了固结磨料研磨SiC晶片(0001) Si面和(0001)C面亚表面损伤的深度及微裂纹构型.结果表明,采用腐蚀液配方为KOH:K2CO3 =20 g∶1 g,在420℃下腐蚀3min时亚表面损伤观测效果较好.在研磨压力为2 psi、金刚石磨粒粒径14 μm时,固结磨料研磨SiC晶片的亚表面损伤层深度约为2.6 μn,亚表面微裂纹构型有垂线状、斜线状、钩状、叉状、树枝状、人字状以及横线状.在相同的加工条件下,SiC晶片的(0001) Si面和(0001)C面的损伤深度基本相同.
关键词:
SiC晶片
,
截面显微法
,
亚表面损伤
,
固结磨料研磨
张银霞
,
李大磊
,
郜伟
,
康仁科
人工晶体学报
单晶硅片超精密加工表面层损伤较小,检测评价比较困难.为了确定合适的检测技术,对多种硬脆材料表面层质量检测技术进行了系统的试验研究.结果表明,硅片加工表面宏/ 微观形貌可采用各种显微镜及3D表面轮廓仪等进行检测,表面损伤分布可采用择优腐蚀法和分步蚀刻法检测;粗加工和半精加工硅片的损伤深度宜采用角度抛光法检测,而精加工硅片的损伤深度较小,宜采用截面Raman光谱分析和恒定腐蚀速率法检测;损伤层的微裂纹、位错、非晶及多晶相变等微观结构可采用分步蚀刻法、平视和剖视TEM分析法及显微Raman光谱仪检测;表面层宏观残余应力分布可用显微Raman光谱仪检测,其微观应变可采用高分辨X射线衍射仪的双品摇摆曲线的半高宽值来衡量.综合以上检测技术可以对硅片加工表面层损伤进行系统的评价.
关键词:
硅片
,
加工损伤
,
检测技术
王栋
,
张银霞
,
郜伟
,
杨乐乐
,
苏建修
人工晶体学报
SiC晶片研磨加工表面层损伤深度直接影响后续抛光加工的成本和效率,但SiC单晶是典型的难加工材料,亚表面损伤检测极为困难.文中利用截面显微检测技术对SiC晶片研磨加工亚表面损伤深度进行了检测分析,并研究了研磨方式、工艺参数对损伤深度的影响及晶片上损伤深度的分布规律.结果表明,同样的研磨工艺参数条件下,固结磨料研磨SiC晶片损伤深度略小于游离磨料研磨晶片的损伤深度.固结磨料研磨时,随着磨料粒度从W7增大到W28,损伤深度由3.0 μm增大到4.7 μm.随着研磨压力从1 psi增大到3 psi,晶片损伤深度从4.1 μm增大到4.9 μm.在整个晶片上,损伤深度由中心向边缘沿径向逐渐增大,增大幅度约为0.6～1.0 μm.
关键词:
SiC晶片
,
研磨加工
,
损伤深度
,
固结磨料
何静
,
郜伟
,
余仲秋
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.05.014
分析了一种通过改变包层空气孔径向折射率产生双折射的光子晶体光纤,比较了几何对称性对这种光纤双折射特性的影响.利用有限元法对该光纤基模的电场分布、归一化双折射,偏振等特性进行了数值分析,并且分析了一些参数对双折射的作用.研究结果表明,可以通过调节包层径向孔内介质折射率n,空气孔直径d和包层空气孔间距A的大小,控制光子晶体光纤的双折射特性.当同时改变光纤的几何结构和径向孔内折射率时,双折射效应明显增大,得到了比普通保偏光纤高出一个数量级的结果.这一结果为光子晶体光纤的设计和制造提供了理论依据.
关键词:
纤维与波导光学
,
光子晶体光纤
,
有限元法
,
双折射
