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反应磁控溅射法制备二氧化硅薄膜的研究

朱春燕 , 王稳奇 , 郗华

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2010.04.003

采用反应磁控溅射的方法沉积二氧化硅薄膜,研究了二氧化硅薄膜的光学特性,并与用反应离子束溅射方法沉积二氧化硅薄膜进行了对比.实验结果表明:用反应磁控溅射法沉积二氧化硅薄膜,薄膜的折射率、沉积速率主要受反应气体(氧气)浓度的影响,氧气含量超过15%(体积分数)后,溅射过程进入反应模式,沉积速率随氧气浓度增加而降低;入射光波长为630 nm时,薄膜折射率为1.50.对比2种薄膜沉积方法后确定,在二氧化硅薄膜工业生产中,反应磁控溅射方法更为可取.

关键词: 磁控溅射 , 二氧化硅薄膜 , 光学特性

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