欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(14)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

邻苯二甲酰二肽的光诱导单电子转移环化反应合成哌嗪酮类化合物

谭广慧 , 魏树权 , 赵俊明 , 张鹏 , 王丙南 , 郑鹏 , 刘岩 , 金英学

影像科学与光化学

邻苯二甲酰化的二肽(1)在光照下,经过单电子转移形成分子内双自由基(5),自由基(5)分子内耦合成环得到含哌嗪酮的化合物.此反应产率较好,可以成为合成哌嗪酮类化合物的新方法.所有新化合物均经NMR和MS确定其结构.

关键词: 二肽 , 单电子转移 , 环化反应 , 哌嗪酮

[011]与[001]取向镍基单晶合金拉伸蠕变期间组织形貌演化及蠕变特征

水丽 , 郑鹏

稀有金属材料与工程

研究980℃,200 MPa拉伸蠕变期间[001]和[011]取向镍基单晶合金中γ’相的形貌演化及蠕变特征,在相同拉伸条件下晶体取向的变化对合金的应变和应变速率产生明显影响.结果表明:沉淀相的定向粗化方向取决于合金的晶体取向,沿[001]取向拉伸,γ’相从最初的立方形态转化为与拉伸应力轴垂直的筏形;当拉伸轴平行于[011]取向时,γ’相沿[010]和[100]方向扩散生长,演化成与拉伸轴倾斜45.角的筏形.[011]取向合金的蠕变强度随其基体通道宽度的增大而快速下降,蠕变前期[001]与[011]取向的应变速率相近,蠕变后期合金表现出明显的蠕变各向异性.

关键词: 镍基单晶合金 , 拉伸蠕变 , 形貌演化

离子液体[Bmim]BF4辅助制备超顺磁性Fe3O4纳米粒子

张利锋 , 高玉双 , 刘毅 , 郑鹏 , 黄剑锋 , 郭守武

人工晶体学报

以七水硫酸亚铁(FeSO4·7H2O)与六水三氯化铁(FeCl3·6H2O)为原料,离子液体1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐([Bmim] BF4)为添加剂,70℃下反应2h制备了Fe3O4纳米粒子.通过X射线衍射仪(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及热重分析(TG)等方法对样品的结构和形貌进行表征,并测试了所合成样品的磁性能.实验结果表明:离子液体辅助制备的Fe3O4纳米粒子形貌较为均一,呈近似球状,平均直径约为14 nm,产品在室温下表现出超顺磁性,饱和磁化强度为60.66 emu/g.利用密度泛函理论(DFT)计算模拟了Fe3O4分别与离子液体和水相互作用的电子结构,发现离子液体通过阴离子的桥联,更易吸附在Fe3O4晶粒表面.

关键词: 离子液体 , Fe3O4纳米粒子 , 超顺磁性 , DFT

SnO2掺杂对MnZn铁氧体微观结构和性能的影响

张逸 , 郑鹏 , 张强原 , 秦会斌 , 杨已青 , 郑梁

材料导报

采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,研究了SnO2掺杂对MnZr功率铁氧体微观结构及磁性能的影响.结果表明添加适量的SnO2可以有效提高晶粒均匀性和致密度.随着SnOz添加量的增加,起始磁导率先上升后下降,磁损耗先下降后上升.当添加量为0.5%(摩尔分数)时,μi达到最大值,损耗最低.此外,铁氧体损耗最低点所对应的温度随着SnO2掺杂量的增加向低温移动.通过对比一次掺杂和二次掺杂,发现一次掺杂的SnO2主要作用于晶粒内部,二次掺杂的SnO2主要作用于晶界处,而且一次掺杂所获得的样品性能更优.

关键词: MnZn铁氧体 , SnO2掺杂 , 微观结构

(Mg1-xSrx)2Al4Si5O18陶瓷的显微结构与微波介电性能研究

宋开新 , 杨岳强 , 郑鹏 , 徐军明 , 秦会斌

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00575

采用固相烧结反应法制备(Mg1-xSrx)2Al4Si5O18陶瓷. Sr掺杂促进低温相β-Mg2Al4Si5O18向高温相α-Mg2Al4Si5O18转变, 并拓宽了(Mg1-xSrx)2Al4Si5O18陶瓷的致密化烧结温度范围. X射线衍射结果表明在0≤x<0.2范围内, (Mg1-xSrx)2Al4Si5O18陶瓷以(Mg,Sr)2Al4Si5O18堇青石固溶体形式存在; 在0.6<x≤1.0范围内, 以(Sr, Mg)Al2Si2O8固溶体存在. 用扫描电子显微镜观察表明Sr掺杂可以有效地降低Mg2Al4Si5O18陶瓷的气孔率与微裂纹, 促进SrAl2Si2O8锶长石晶粒生长与均匀分布. 在0≤x≤0.4范围内, (Mg1-xSrx)2Al4Si5O18陶瓷介电常数基本保持在7.0左右. 在0.6≤x≤1.0范围内从7.0增加到8.5. Qf值在0≤x≤0.2范围内从24100 GHz显著地提高到   38900 GHz, 然后逐渐降低至SrAl2Si2O8的14500 GHz.

关键词: Mg2Al4Si5O18; SrAl2Si2O8; 微波性能

包头市污水厂污泥重金属污染及园林绿化使用安全性评价

王哲 , 郑鹏

硅酸盐通报

本文分析了包头市南郊污水处理厂污泥中Cr、Cu、Mn、Pb、Zn 5种重金属的含量及其各形态的含量,并运用地质累积指数法(Igeo)和潜在生态危害法(RI)对污泥在园林绿化使用中潜在生态风险做了综合评价.结果表明:各金属元素含量均未超出我国城镇污水处理厂污泥处置园林绿化用泥质标准中的最高允许含量,重金属元素的形态主要以残渣态和有机结合态为主,在环境中较稳定.Igev和RI评价结果显示,包头市南郊污水处理厂污泥中5种重金属均为低潜在生态风险,所以污泥经过适当处理可以比较安全的用于园林绿化当中.

关键词: 污泥 , 重金属污染 , 形态分析 , 潜在生态风险

CaCu3Ti4O12陶瓷高介电性的起因机制

郝文涛 , 张家良 , 谭永强 , 郑鹏 , 王春雷

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01058

为了探索CaCu3Ti4O12(CCTO)高介电性的起因机制, 利用固相反应工艺制备了CCTO陶瓷样品, 对其电学性质进行了研究. 在40 Hz~100 MHz测量范围内, 其室温下的介电频谱在1 MHz附近呈现一个类Debye型弛豫, 而高温介电频谱分别在1 kHz以下和1 MHz附近呈现两个类Debye型弛豫. 抛除表面层的同一个样品分别溅射金电极和烧渗银电极后升温测量其介电频谱, 发现低频介电弛豫对电极的金属类型高度敏感, 而高频介电弛豫与电极的金属类型无关, 与材料微观结构存在着密切的关系. 因此推断: CCTO低频介电弛豫起源于样品与电极之间的耗尽层效应, 而高频介电弛豫起源于高阻态的晶界与半导化的晶粒形成内部阻挡层电容效应. 

关键词: 高介电材料 , electrode polarization effect , internal barrier layer capacitance effect , aliovalences

选择性溶出法制备水铁矿的电化学性能研究

郑鹏 , 于然波 , 赖小勇 , 夏威 , 王丹

硅酸盐通报

以镁铁类水滑石化合物为前驱体,利用选择性物相溶出法制备了2L-型水铁矿.对产物进行了XRD和N2吸附脱附等表征,并研究了产物的电化学性能.结果表明:这种多孔的2L-型水铁矿具有比表面积大、介孔分布均匀等优点;在电压区间1.5~4.2 V,电流密度0.318 mA/cm2的测试条件下,以Mg/Fe=2(物质的量之比)的水滑石为前驱体制得的样品性能最佳,初始放电比容量在203.8 mAh/g,经过14次充放电循环后的放电比容量稳定在100 mAh/g上.

关键词: 水铁矿 , 类水滑石化合物 , 选择性物相溶出 , 锂离子电池正极材料

Li2Sr0.995-xSiO4∶0.005Eu2+,xLa3+荧光粉的晶体结构与发光特性

郑梁 , 张芳芳 , 宋开新 , 郑鹏 , 吴松 , 郑海杰

中国稀土学报 doi:10.11785/S1000-4343.20130503

采用高温固相反应法在还原气氛下制备了Li2Sr0.995-xSiO4∶0.005 Eu2,xLa3+荧光粉.利用X射线衍射仪、荧光光谱仪和紫外可见分光光度计对样品的晶体结构、激发光谱、发射光谱与荧光衰减寿命以及漫反射光谱进行测试分析.实验结果表明:所制得的样品为单一相的Li2SrSiO4晶体结构化合物.Li2Sr0.995-xSiO4∶0.005Eu2+,xLa3+荧光粉的激发光谱均呈现出宽激发带,其中最强的激发峰位于408 nm左右.在此波长激发下可得到峰值位于570nm左右的宽波段单峰发射光谱,其对应于Eu2+离子4f65d1 →4f7电子跃迁.La3+掺杂Li2SrSiO4∶Eu2+荧光粉基质产生了晶格缺陷[2LaSr·V″Sr],其可以吸收光能并将能量传递给发光中心离子Eu2+,进而增强Li2Sr0.995SiO4∶0.005Eu2+荧光粉的发光强度.漫反射光谱和荧光衰减寿命测试结果也证实La3+掺杂能够增加Eu2+的激发态吸收能量,延长发光中心Eu2+离子荧光衰减寿命.

关键词: 硅酸盐荧光粉 , 掺杂 , 发光强度 , 稀土

CaCu3Ti4O12陶瓷高介电性的起因机制

郝文涛 , 张家良 , 谭永强 , 郑鹏 , 王春雷

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01058

为了探索CaCu3Ti4O12(CCTO)高介电性的起因机制,利用固相反应工艺制备了CCTO陶瓷样品,对其电学性质进行了研究.在40 Hz~100 MHz测量范围内,其室温下的介电频谱在1 MHz附近呈现一个类Debye型弛豫,而高温介电频谱分别在1 kHz以下和1 MHz附近呈现两个类Debye型弛豫.抛除表面层的同一个样品分别溅射金电极和烧渗银电极后升温测量其介电频谱,发现低频介电弛豫对电极的金属类型高度敏感,而高频介电弛豫与电极的金属类型无关,与材料微观结构存在着密切的关系.因此推断:CCTO低频介电弛豫起源于样品与电极之间的耗尽层效应,而高频介电弛豫起源于高阻态的晶界与半导化的晶粒形成内部阻挡层电容效应.

关键词: 高介电材料 , 耗尽层效应 , 内阻挡层电容效应 , 元素变价

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 下一页
  • 末页
  • 共2页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词