郑静地
,
邹友生
,
宋贵宏
,
宫骏
,
刘越
,
孙超
,
闻立时
金属学报
利用电弧离子镀技术在SiCp/2024Al基体上制备(Ti,Al)N涂层. 研究了偏压对涂层的相组成、晶格常数和成分的影响及不同过渡层对涂层与基体结合性
能的影响. 结果表明, 在较小偏压下, (Ti,Al)N涂层呈(111)择优取向; 偏压在--150 V时, 涂层无择优取向; 但随偏压继续升高, 出现(200)和 (220) 择优取向. 在添加Ti过渡层时, 涂层与基体形成致密均匀的良好结合. 同时通过设计梯度涂层, 获得了厚度达105 um的无裂纹(Ti,Al)N涂层.
关键词:
(Ti
,
Al)N coating
,
SiCp/Al composite
,
arc ion plating
郑静地
,
邹友生
,
宋贵宏
,
宫骏
,
刘越
,
孙超
,
闻立时
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2004.07.014
利用电弧离子镀技术在SiCp/2024Al基体上制备(Ti,Al)N涂层.研究了偏压对涂层的相组成、晶格常数和成分的影响及不同过渡层对涂层与基体结合性能的影响.结果表明,在较小偏压下,(Ti,Al)N涂层呈(111)择优取向;偏压在-150 V时,涂层无择优取向;但随偏压继续升高,出现(200)和(220)择优取向.在添加Ti过渡层时,涂层与基体形成致密均匀的良好结合.同时通过设计梯度涂层,获得了厚度达105 μm的无裂纹(Ti,Al)N涂层.
关键词:
(Ti
,
Al)N涂层
,
复合材料
,
电弧离子镀
,
偏压
宋贵宏
,
郑静地
,
刘越
,
孙超
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.035
利用电弧离子镀,在不锈钢和SiCP增强2024铝基复合材料基底上沉积TiAlN薄膜.结果表明:TiAlN膜层直接沉积在不锈钢基底上,膜层呈[111]择优取向;然而,TiAlN膜层沉积在不锈钢基底的TiAl过渡层上,膜层呈[220]方向择优取向;并且随着过渡层从零开始增厚,TiAlN膜层的织构系数T(111)逐渐减小,而T(200)逐渐增大,但膜层一直以[220]方向择优取向,内应力的存在可能是膜层产生[220]方向择优取向的原因.在复合材料基底TiAl过渡层上沉积,随着负脉冲偏压的增加,TiAlN膜层的择优取向由[111]向[200]转变.在不锈钢基底上,没有TiAl过渡层时,膜层表面相对光滑,大颗粒较少;有了TiAl过渡层,表面大颗粒较多;TiAl过渡层不同沉积时间对膜层表面影响不大,颗粒尺寸相差无几.没有TiAl过渡层时,膜层结合强度很差,有了TiAl过渡层,结合强度明显增加,但结合强度的大小随过渡层沉积时间(厚度)变化.
关键词:
电弧离子镀
,
TiAlN膜层
,
织构
,
TiAl过渡层
,
结合强度
,
内应力
邹友生
,
汪伟
,
郑静地
,
孙超
,
黄荣芳
,
闻立时
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2004.05.019
采用电弧离子镀方法,在Si(100)基底上沉积了类金刚石(DLC)膜.用激光Raman谱和X射线光电子能谱(XPS)对不同偏压下沉积的类金刚石膜的结构进行了分析.结果表明,Raman谱的D峰和G峰的强度之比ID/IG随着脉冲负偏压的增加先减小后增大,sp3键含量随着负偏压的增加先增加后减小.偏压为-200 V时,ID/IG值最小为0.70,sp3键含量最大为26.7%.纳米压痕仪测量结果表明,随着脉冲负偏压增加,硬度和弹性模量先增加后下降.偏压为-200 V时,DLC膜的硬度和弹性模量最大,分别为30.8和250.1 GPa.
关键词:
类金刚石膜
,
电弧离子镀
,
脉冲偏压
,
结构
,
力学性能
