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PLZT(x/65/35)透明铁电陶瓷的制备及性能研究

仇萍荪 , 郑鑫森 , 程文秀 , 何夕云 , 丁爱丽

功能材料

采用热压通氧烧结工艺制备PLZT(x/65/35)透明铁电陶瓷材料,系统地研究了不同的La含量(x=0.08～0.10)对PLZT陶瓷透过率的影响,当x=10时,材料的透过率达到68%.测试了不同的La含量下的PLZT透明陶瓷材料的电滞回线.用法拉第磁光调制法测量了不同的La含量的PLZT(x/65/35)透明铁电材料在电场下的双折射△n,△n随La含量的增加而下降.

关键词: PLZT透明陶瓷 , 铁电性 , 透过率 , 电光系数

Mn掺杂(K _0.5 Na _0.5 ) _0.96 Sr _0.02 NbO₃无铅压电陶瓷的研究

刘涛 , 丁爱丽 , 何夕云 , 郑鑫森 , 仇萍荪 , 程文秀

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00469

采用常压烧结方法制备了Mn掺杂的(K _0.5 Na _0.5) _0.96 Sr _0.02 Nb _1-x Mn _x O ₃无铅压电陶瓷. 研究了Mn含量对该体系材料的相组成、微观结构、介电、压电和热稳定性能的影响. XRD表明随着Mn含量的增加, 体系由正交相过渡到赝四方相; 而且, 富Na的第二相消失, 得到纯净的钙钛矿相结构. 在Mn含量为x=0.03和0.04时, 观察到了两个温度(200和390℃)处的介电反常, 这和晶格畸变引起的复晶胞结构有关. Mn含量为x=0.02时, 得到综合性能优良的压电超声换能器用材料: 介电常数ε^T₃₃/ε₀=479, 压电常数d₃₃=121pC/N, 机电耦合系数 K_p=41%, 机械品质因子Q_m=298, 介电损耗tanδ=1.6%, 居里温度T_c=391℃, 谐振频率f_r和机电耦合系数K_p随温度的变化率α_fr(80℃)和α_Kp (80℃)分别为-1.85%和1.19%.

关键词: 无铅 , piezoelectric ceramics , dielectric , transducer

SrTiO3衬底上溅射法外延生长PLZT薄膜

仇萍荪 , 程文秀 , 何夕云 , 郑鑫森 , 丁爱丽

功能材料

用射频磁控溅射法在SrTiO3衬底上外延生长PLZT薄膜,研究了不同的溅射工艺对薄膜生长速率的影响,探讨了不同的后期热处理条件与薄膜取向度的关系.在SrTiO3衬底上成功制备出外延生长的、厚度达1.5μm的PLZT薄膜.

关键词: SrTiO3衬底 , PLZT膜 , 溅射条件 , 外延生长

Mn掺杂(K0.5Na0.5)0.96Sr0.02NbO3无铅压电陶瓷的研究

刘涛 , 丁爱丽 , 何夕云 , 郑鑫森 , 仇萍荪 , 程文秀

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.03.019

采用常压烧结方法制备了Mn掺杂的(K0.5Na0.5)0.96Sr0.02Nb1-xMnxO3无铅压电陶瓷.研究了Mn含量对该体系材料的相组成、微观结构、介电、压电和热稳定性能的影响.XRD表明随着Mn含量的增加,体系由正交相过渡到赝四方相;而且,富Na的第二相消失,得到纯净的钙钛矿相结构.在Mn含量为x=0.03和0.04时,观察到了两个温度(200和390℃)处的介电反常,这和晶格畸变引起的复晶胞结构有关.Mn含量为x=0.02时,得到综合性能优良的压电超声换能器用材料:介电常数εT33/ε0=479,压电常数d33=121pC/N,机电耦合系数Kp=41%,机械品质因子Qm=298,介电损耗tanδ=1.6%,居里温度Tc=391℃,谐振频率fr和机电耦合系数Kp随温度的变化率αfr(80℃)和αKp(80℃)分别为-1.85%和1.19%.

关键词: 无铅 , 压电陶瓷 , 介电 , 换能器

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