王霖
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田林海
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尉国栋
,
高凤梅
,
郑金桔
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杨为佑
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01009
石墨烯具有优异的物理和电学性能, 已成为物理和半导体电子研究领域的国际前沿和热点之一. 本文简单介绍了石墨烯的物理及电学特性, 详细评述了在众多制备方法中最有希望实现石墨烯大面积、高质量的外延生长技术, 系统论述了不同SiC和金属衬底外延生长石墨烯的研究进展, 并简要概述了石墨烯在场效应晶体管、发光二极管、超级电容器及锂离子电池等光电器件方面的最新研究进展. 外延生长法已经初步实现了从纳米、微米、厘米量级石墨烯的成功制备, 同时可实现其厚度从单层、双层到少数层的调控, 有望成为高质量、与传统电子工艺兼容、低成本、大面积的石墨烯宏量制备技术, 为其器件应用奠定基础.
关键词:
石墨烯
,
epitaxial growth
,
devices
,
progress
,
review
王霖
,
田林海
,
尉国栋
,
高凤梅
,
郑金桔
,
杨为佑
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01009
石墨烯具有优异的物理和电学性能,已成为物理和半导体电子研究领域的国际前沿和热点之一.本文简单介绍了石墨烯的物理及电学特性,详细评述了在众多制备方法中最有希望实现石墨烯大面积、高质量的外延生长技术,系统论述了不同SiC和金属衬底外延生长石墨烯的研究进展,并简要概述了石墨烯在场效应晶体管、发光二极管、超级电容器及锂离子电池等光电器件方面的最新研究进展.外延生长法已经初步实现了从纳米、微米、厘米量级石墨烯的成功制备,同时可实现其厚度从单层、双层到少数层的调控,有望成为高质量、与传统电子工艺兼容、低成本、大面积的石墨烯宏量制备技术,为其器件应用奠定基础.
关键词:
石墨烯
,
外延生长
,
器件
,
进展
,
综述
郑金桔
,
曹盛
,
高凤梅
,
尉国栋
,
贾龙
,
杨为佑
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12184
采用生长掺杂方式制备出了Cu掺杂ZnSe高效量子点,探索了不同Zn、Se前驱体配比对ZnSe晶核以及ZnSe:Cu量子点质量的影响,并研究了Cu离子掺杂过程中的光谱特征.研究表明,进一步通过在表面掺杂的ZnSe:Cu量子点上同质包覆ZnSe壳层,能够实现其发光效率和稳定性的有效提高；采用配体交换能够实现ZnSe:Cu量子点由油溶性到水溶性的转变.这种新型的掺杂量子点有望替代传统含Cd量子点应用于环境友好型固体发光器件和生物标记.
关键词:
ZnSe
,
量子点
,
生长掺杂
,
光学特性
