周阳
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程春生
,
赵敬伟
,
郑红芳
,
赵庆勋
,
彭英才
,
刘保亭
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00242
采用溶胶凝胶方法在玻璃基ITO电极上制备了Pt/ Pb(Zr 0.4 Ti 0.6 )O3(PZT)/ITO电容器.采用X射线衍射仪、铁电测试仪、分光光度计对其微观结构、电学性能及光学性能进行了测量.结果表明PZT薄膜结晶良好,具有（101）高度择优取向.铁电电容器具有良好的保持特性和抗疲劳特性,具有较大的剩余极化强度和电阻率,5V电压下的剩余极化强度和电阻率分别为41.7μC/cm2和2.5×109Ω·cm;漏电流测量结果表明电压小于0.8V时为欧姆导电机制,当电压大于0.8V时,漏电流满足肖特基发射机制.光学透射谱结果表明在短波范围内,PZT表现出强吸收作用;在长波范围内,PZT表现为强透射,最大透射率达到95%.
关键词:
Pt/PZT/ITO
,
sol-gel method
,
electric property
周阳
,
程春生
,
赵敬伟
,
郑红芳
,
赵庆勋
,
彭英才
,
刘保亭
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00242
采用溶胶-凝胶方法在玻璃基ITO电极上制备了Pt/Pb((Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3(PZT)/ITO电容器.采用X射线衍射仪、铁电测试仪、分光光度计对其微观结构、电学性能及光学性能进行了测量.结果表明PZT薄膜结晶良好,具有(101)高度择优取向.铁电电容器具有良好的保持特性和抗疲劳特性,具有较大的剩余极化强度和电阻率,5V电压下的剩余极化强度和电阻率分别为41.7μC/cm~2和2.5×10~9Ω·cm;漏电流测量结果表明电压小于0.8V时为欧姆导电机制,当电压大于0.8V时,漏电流满足肖特基发射机制.光学透射谱结果表明在短波范围内,PZT表现出强吸收作用;在长波范围内,PZT表现为强透射,最大透射率达到95%.
关键词:
Pt/PZT/ITO
,
溶胶-凝胶法
,
电学性能
周阳
,
郑红芳
,
王英龙
,
刘保亭
功能材料
在4.0×10-4Pa的真空条件下,采用脉冲激光烧蚀技术在单晶Si衬底和石英衬底上制备了非晶纳米Si薄膜.在N2气氛下,经过900℃热退火得到纳米Si晶薄膜.采用表面台阶测试仪、扫描电子显微镜、拉曼光谱仪等检测手段对样品不同位置的微观结构进行了表征.测量结果表明制备的纳米Si晶薄膜厚度及其晶粒尺寸分布不均匀,随着测量点与样品沉积中心距离的增加,薄膜的厚度逐渐减小,纳米Si晶粒的尺寸逐渐增大.从脉冲激光烧蚀动力学的角度对实验结果进行了定性的分析.
关键词:
脉冲激光烧蚀
,
纳米Si薄膜
,
晶粒尺寸
,
羽辉动力学
